SSM2307GN-VB P沟道MOSFET技术规格与特点

"SSM2307GN-VB是一款P沟道MOSFET，采用SOT23封装，适用于低电压、低电阻应用。其关键特性包括20V的额定漏源电压（VDS），在不同栅极电压下的低导通电阻，以及特定条件下的电流和功率损耗限制。此外，该器件符合无卤素标准，适用于环保设计。" SSM2307GN-VB是一款P沟道金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET），它的主要特点是其小型SOT23封装，适合空间有限的应用场景。该MOSFET的最大漏源电压（VDS）为-20V，这意味着它能够在不超过这个电压范围内安全工作。导通电阻（RDS(on)）非常低，分别在VGS=-10V时为0.035欧姆，VGS=-4.5V时为0.043欧姆，以及VGS=-2.5V时为0.061欧姆，这使得SSM2307GN-VB在开关应用中具有高效能。 在连续漏极电流（ID）方面，该器件在不同温度下有不同的规格。例如，在25°C时，最大ID为-5eA；当温度升至70°C时，ID限制减小到-4.8A。脉冲漏极电流（IDM）的最大值为-18A，而连续源漏二极管电流（IS）在25°C时的最大值为-2.1A，同样在特定条件下会有所降低。最大功率损耗（PD）随温度变化，25°C时为2.5W，而70°C时则降至1.6W。 此外，SSM2307GN-VB的热性能也很重要。最大结壳热阻（RthJF）在稳态下为40至50°C/W，而最大结温到环境的热阻（RthJA）在5秒内可达到75至100°C/W，这确保了在高热负荷下良好的散热能力。器件的工作结温和存储温度范围是-55至150°C，满足了广泛的环境适应性。 特别地，SSM2307GN-VB符合IEC61249-2-21的无卤素标准，表明它是环保友好的电子组件，不含有害的卤化物质，符合现代电子产品的绿色环保要求。这款MOSFET适合用于需要小巧尺寸、低功耗和良好热管理的电路设计中，例如电源管理、逻辑切换、负载开关以及其他低电压、大电流控制应用。