SMIC 0.18μm工艺下高性能UHF RFID零中频接收机混频器设计

本文档探讨了一种在UHF RFID（超高频无线射频识别）系统中应用的零中频接收机混频器的设计。作者利用SMIC 0.18μm CMOS工艺，针对传统的吉尔伯特混频器的噪声性能进行了深入分析。混频器的设计目标是实现低噪声、高线性度，以提升接收机的整体性能。 混频器设计的关键创新在于采用了动态电流注入技术。通过这种方法，电流被有选择地注入到跨导级，有效地抑制了开关管中的闪烁噪声，这是影响混频器噪声性能的主要因素之一。这种技术显著提高了混频器的噪声系数，使之在1.8V电源电压下达到11.3 dB。此外，设计者还关注了混频器的线性度，确保在保证信号质量的同时，输入1dB压缩点为-5.58 dBm，显示出良好的动态范围。 转换增益是混频器的重要性能指标，此设计实现了26.04 dB的高转换增益，这意味着信号可以有效地从射频信号转化为音频信号，从而提高接收灵敏度。整个混频器的能耗控制在较低水平，仅消耗7.2 mW，这对于能源效率要求严格的RFID系统来说是非常重要的。 芯片的尺寸为404μm*506μm，小巧的体积有利于集成在小型设备中，满足了UHF RFID系统的便携性和空间限制。设计者还在文中提供了中图分类号TN402和文献标志码A，以及文章编号1673-5439(2013)03-0118-05，这些都是学术界追踪和引用该研究的标识。 这篇研究论文详细介绍了如何通过创新的动态电流注入技术优化UHF RFID零中频接收机混频器的设计，以提升接收性能，降低功耗，并适应实际应用的需求。这对于RFID技术的发展和优化具有重要意义。