反射式光刻对准新模型：基于等效叠栅的精密校准策略

本文主要探讨了基于等效叠栅的反射式光刻对准模型，针对接近接触式光刻技术的需求，提出了一种创新的解决方案。在这一方案中，关键在于利用差动叠栅条纹对准技术，通过将叠栅条纹的相位作为对准信号的载体。这种技术在掩模和硅片上分别设计了两组位置相反、周期相近的光栅对准标记，这些标记允许电荷耦合器件（CCD）成像系统捕捉到叠栅条纹的图像，然后通过傅里叶变换方法提取出叠栅条纹的相位信息，从而精确地确定掩模与硅片之间的相对位置关系。 设计的光栅标记不仅能够检测横向和纵向的对准偏差，而且具有较高的精度。通过合理的光路设计，文章深入分析了整个对准过程的内在机制，建立了一个数学模型来量化对准精度。研究结果显示，在对准偏差小于1像素的情况下，最大误差可以控制在0.002像素以内，这相较于传统的透射式光路，具有更高的实用性，能满足实际生产中的精密对准需求。 本文的重要贡献在于提供了一种新型的光刻对准策略，它利用反射式光路的优势，降低了对准误差，提高了生产效率。这对于微电子制造等领域具有重要的应用价值，特别是在追求更高分辨率和精度的现代半导体工业中。此外，文章还详细讨论了研究方法、实验结果以及可能的应用前景，为反射式光刻对准技术的发展提供了理论支持和技术指导。 关键词：光栅、光刻对准、反射式光路、叠栅条纹、光栅标记，共同构成了文章的核心主题，展示了作者对这一领域的深入理解和技术创新。该研究不仅有助于提升光刻工艺的精确度，也对推动光刻技术的进步产生了积极的影响。