叠栅条纹光刻对准新方法：相位斜率角位移标定

本文主要探讨的是"基于叠栅条纹的光刻对准理论分析及标定方法"。在线光刻技术在纳米尺度的精密制造中扮演着关键角色，特别是在芯片制造过程中，精确的光刻对准是确保高精度微结构形成的关键。本文针对光刻过程中可能存在的角位移问题，提出了一种创新的解决方案。 在传统的光刻过程中，掩模对准标记与硅片对准标记可能存在角度偏差，即角位移，这可能导致图案的不准确复制。作者在此背景下，引入了叠栅条纹的概念，这是一种特殊的光干涉现象，当光栅图案与硅片上的标记发生相对移动时，会在特定条件下产生复杂的条纹模式，这些条纹的特性与光栅的物理参数如周期、波长等紧密相关。 文章详细分析了叠栅条纹的形成机制，包括其频率成分如何随条纹方向的变化而变化，这涉及到傅里叶分析在光刻对准中的应用。通过提取叠栅条纹的行列方向一维相位信息，作者将这种相位与角位移建立起数学模型，通过数据拟合找到两者之间的函数关系。这种方法不仅能够有效地标定光栅的方向，而且具有较高的精度，可以分辨出小于0.02°的角位移，这对于保证光刻的高精度至关重要。 总结来说，本文的核心贡献在于提出了一种基于叠栅条纹的新型光刻对准标定技术，通过利用相位斜率来消除角位移，简化了对准过程，提高了精度。这对于推动光刻技术的发展，特别是纳米光刻技术的进步有着重要的实践意义。同时，这也展示了傅里叶光学在解决实际问题中的强大工具性，特别是在微纳尺度的精密测量领域。