光刻对准中基于二维解析小波变换的干涉条纹相位分析
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更新于2024-08-27
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"光刻对准中干涉条纹相位解析研究"
本文主要探讨了光刻对准过程中,针对双光栅产生的多频率干涉条纹的相位解析问题。光刻技术是微电子制造的关键步骤,精确对准对于提高集成电路的性能至关重要。在光刻过程中,由于光路波动等因素,会产生含有丰富频率信息的干涉条纹,这些条纹的相位信息反映了光刻对准的精度。
作者提出了一种基于二维解析小波变换的创新方法来进行条纹分析。二维小波变换是一种强大的信号处理工具,它能够同时处理时间和频率信息,特别适合于分析具有多尺度和多频率特性的信号。在本文的方法中,首先利用二维小波变换在不同尺度上分析条纹的频率成分,将条纹的幅度和相位信息分离。接着,通过解析小波基函数,进一步提取与偏移量相关的相位信息。这种方法的一个关键优势在于,它可以利用二维小波脊的特性来消除封闭条纹处理中的相位符号不确定性问题,这是传统方法中常见的挑战。
为了验证该方法的有效性,文章进行了数值模拟和实际实验。实验结果表明,该方法不仅能准确提取所需的相位信息,还能有效地过滤掉由光路抖动导致的噪声,表现出良好的抗干扰能力。与传统的基于频域的相位分析方法相比,这种方法更具适应性,适用于复杂和动态的光刻对准环境。
关键词涉及了测量、相位解析、二维解析小波变换、二维小波脊以及封闭条纹的处理。这表明该研究不仅关注于理论上的相位解析技术,也涉及到了实际应用中遇到的问题和解决方案。这项工作为光刻技术的进步提供了一种新的、有效的相位分析手段,对于提升微电子制造的精度和稳定性具有重要意义。
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