氮离子掺杂ZnTe外延层的结构、表面与电性能优化

本篇研究论文标题为"氮离子掺杂ZnTe外延层的结构、表面和电学性质"，发表在2014年的《应用物理A》期刊上，卷号116，页码193-197。该研究由Qiumin Yang, Chao Liu, Lijie Cui, Linen Zhang, 和 Yiping Zeng合作完成，于2013年9月2日接收，10月14日接受，11月19日在线发表。文章的DOI为10.1007/s00339-013-8082-8。 研究焦点是通过分子束外延法生长的P型ZnTe外延层，其电导性通过氮离子掺杂得以改善。作者发现，随着氮离子植入后热处理温度的提高，氮离子更倾向于占据替代位点，有助于减少辐射损伤。热处理过程中，空穴浓度呈现出随温度升高的趋势，其中，在450°C下热处理5分钟可以实现最低的电阻率和最高的载流子迁移率。然而，过短的热处理时间（如1分钟）并不能获得低电阻性。此外，通过调整ZnTe薄膜的VI/II束流比，可以进一步提升空穴浓度并降低迁移率。 论文还探讨了p-ZnTe与n-GaAs以及p-ZnTe与n-ZnSe/n-GaAs异质结的特性，这些结构的性能显示了更好的电学特性，尤其是在接触电阻和开关性能方面。这些结果对于优化氮离子掺杂ZnTe材料的器件设计和性能具有重要意义，特别是在太阳能电池、电子器件和光电子设备的应用中，氮离子注入技术可以作为一种有效的手段来调控半导体材料的性能。整个研究不仅提供了深入理解氮离子对ZnTe影响的见解，也展示了在微电子和光电子领域潜在的应用前景。