P沟道20-V MOSFET SI2333DS-T1-GE3-VB详细规格

"SI2333DS-T1-GE3-VB是一款P沟道的MOSFET，采用SOT23封装，适用于低电压、低电阻的应用。这款MOSFET的主要特性包括20V的最大漏源电压（VDS）、在不同栅极电压下的低导通电阻（RDS(on)），以及小尺寸的表面贴装封装。其参数规格如最大连续漏电流、脉冲漏电流、源漏二极管电流和最大功率耗散等都详细列出，同时具备良好的热性能和符合环保标准的设计。" SI2333DS-T1-GE3-VB是一种P沟道金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET），设计用于低压应用。它的关键特性是其漏源电压VDS最大为-20V，这意味着它可以处理不超过20V的电压差。MOSFET的导通电阻RDS(on)在不同的栅极电压下有不同的值，例如在VGS=-10V时，RDS(on)仅为0.035Ω，而当VGS=-4.5V时，RDS(on)为0.043Ω，进一步降低到VGS=-2.5V时，RDS(on)为0.061Ω，这使得它适合于需要低功耗和高效能转换的电路。 这款MOSFET的持续漏电流ID随着温度的升高而减少，例如在25°C时，ID为-5mA，而在70°C时，ID为-4.8mA。脉冲漏电流IDM的最大值为-18A，显示了其在瞬态操作中的能力。连续源漏二极管电流IS在25°C时为-2.1mA，而在相同条件下，减小到-1.0mA。最大功率耗散PD在不同温度下也有所变化，确保了设备的稳定性。 关于热性能，MOSFET的结到环境的最大热阻RthJA在5秒内典型值为75°C/W，最大值为100°C/W，而结到脚的最大热阻RthJF的稳态值为40°C/W至50°C/W，这些数值表明器件具有良好的散热能力，能够有效地散发运行中产生的热量。 此外，SI2333DS-T1-GE3-VB符合IEC61249-2-21的无卤素标准，意味着它不含有害物质，对环境友好。这款MOSFET因其低RDS(on)，紧凑的SOT23封装，以及符合环保要求的特性，特别适用于需要高效、小型化和环保的电子设计。