SI1967DH-T1-GE3
时间: 2024-03-02 15:46:32 浏览: 66
SI1967DH-T1-GE3是一款功率MOSFET器件,由Vishay公司生产。它是一种N沟道增强型MOSFET,适用于高频和高速开关应用。该器件具有低导通电阻和快速开关特性,能够提供高效的功率转换和低功耗操作。
SI1967DH-T1-GE3的主要特性包括:
1. 高导通电流:具有较高的导通电流能力,适用于高功率应用。
2. 低导通电阻:具有低导通电阻,能够减少功率损耗和热量产生。
3. 快速开关速度:具有快速的开关特性,适用于高频和高速开关应用。
4. 低输入电容:具有较低的输入电容,能够提供更好的开关性能和响应速度。
5. 低漏电流:具有低漏电流特性,能够减少功耗和能源浪费。
这些特性使得SI1967DH-T1-GE3在各种应用中广泛使用,包括电源管理、DC-DC转换器、电机驱动器、逆变器等。
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