基于SiGe HBT的射频有源电感设计及其应用

基于SiGe HBT的射频有源电感设计 基于SiGe HBT的射频有源电感设计是指使用SiGe HBT（Silicon-Germanium Heterojunction Bipolar Transistor）技术来设计和实现射频有源电感的方法。这种方法可以在射频单片集成电路中实现高性能的有源电感，具有重要的应用价值。 1. 有源电感的基本原理 有源电感是一种可以提供电感值的电子元件，可以在射频电路中应用。有源电感的电路结构有多种形式，常见的有回转器和电容组成的结构。回转器具有将一个端口上的电压回转为另一个端口上的电流的性质，利用这种性质，晶体管的寄生电容或外接电容可以转换为电感。 2. SiGe HBT技术在射频有源电感设计中的应用 SiGe HBT技术是一种成熟的技术，具有与Si工艺兼容的优点，芯片的成本具有较好的竞争力。这种技术可以用来设计和实现高性能的射频有源电感。在本文中，作者使用SiGe HBT技术设计了四种结构的射频有源电感，其中包括两种正电感和两种负电感。 3. 四种射频有源电感的设计 作者设计了四种不同的射频有源电感结构，包括两种正电感和两种负电感。这些电路结构中，由共射放大器与共集放大器级联反馈构成的有源电感性能较好。采用回转器原理实现的有源电感，电感值不随面积减小而减小。改变晶体管的偏置电压，有源电感具有可调谐性。 4. SiGe HBT有源电感的设计理论及方法 作者提出了基于SiGe HBT的有源电感设计理论及方法。该方法将双极型晶体管看作三端口器件，在进行级联时，共有三种基本组态：共发射极、共基极和共集电极组态。每种组态的连接方式分别有两种：输入、输出。故单独的双极型晶体管共有3×2=6种连接方式。不同的连接方式具有不同的导纳参数。 5. 应用价值 本设计能够极大地减少芯片面积、节约成本，对于射频集成电路具有很高的应用价值。本文的研究结果对今后有源电感的设计和应用具有积极的指导意义。