SiGe HBT射频有源电感设计与优势分析

"该文探讨了基于SiGe HBT（硅锗双极型晶体管）的射频有源电感设计，旨在解决射频单片集成电路中无源电感占用面积大、品质因数Q低的问题。文章介绍了有源电感在射频电路中的重要功能，如阻抗转换、谐振、反馈和滤波，并分析了高频下传统有源电感的局限性。在成本和工艺兼容性的考虑下，SiGe技术成为设计射频集成电路的首选，而采用SiGe HBT构建的有源电感则能有效减小芯片面积并提高性能。 文中详细阐述了有源电感的基本原理，主要通过回转器和电容的组合实现，包括正阻抗和负阻抗两种类型，并给出了电感值的计算公式。作者设计了四种不同组态的有源电感电路，并对表现优异的一种进行了深入探讨。这些设计采用了双极型晶体管的六种不同连接方式，每种连接方式都有不同的导纳特性，这为优化电路性能提供了多样化的选择。 在实际应用中，设计者利用Jazz 0.35μm SiGe BiCMOS工艺进行了仿真验证，进一步证明了这种有源电感设计的有效性和实用性。相比于传统的无源电感，基于SiGe HBT的有源电感不仅在芯片面积上有显著优势，还能降低制造成本，对于推动射频集成电路的微型化和高性能化有着重要的贡献。" 这篇文章除了深入研究有源电感的设计原理和实现方法，还突出了SiGe HBT在射频电路领域的优势，对于电子工程领域的研究人员和工程师来说，是理解射频有源电感设计的重要参考资料。同时，它也对电子竞赛和电源类项目的设计提供了新的思路和技术支持。