集成CMOS工艺的低功耗音频功率放大器设计与仿真
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更新于2024-08-29
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音频功率放大器的CMOS电路设计与仿真模拟关注了现代便携式通信设备对音频功率放大器的特殊需求。随着集成技术的进步,小型化的设备对功耗低、外围组件少、性能稳定的音频功率放大器有着严格的规范。在这样的背景下,设计者采用CSMCO.5微米CMOS工艺,特别强调了电路的高稳定性和电源抑制比(PSRR),以减少CDMA噪声的影响。
电路的核心部分是带滞回功能的电压控制电路,通过迟滞比较器来调节旁路电压和基准电压,从而保证了输出电压的稳定。这种设计减少了对外部电容的依赖,如自举电容和耦合电容,使得电路特别适合于低电压设备,如移动电话。Cadence Spectre的仿真结果显示,这种电路在功耗和稳定性上表现出色,并能有效地抑制噪声。
电路结构分为三个主要部分:施密特电路、比较器电路和控制电路。施密特电路由M25-M29组成,旨在提供开关功能,以降低整体功耗。电流反馈被用于实现迟滞功能的旁路电压控制,这确保了电路在产生正确直流偏置电压的同时,保持了良好的工作性能。
在O.5微米CMOS工艺的应用中,这种设计不仅适用于音频功率放大器,还广泛适用于其他功率放大器的内部电路,提升了整个系统的可靠性。本文的音频功率放大器CMOS电路设计兼顾了高效、低功耗和抗噪声的特点,为现代便携设备提供了理想的解决方案。
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