30N06-TO252-VB MOSFET:特性与应用解析
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更新于2024-08-03
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"30N06-TO252-VB是一款N沟道MOSFET,采用TO252封装,适用于各种电力电子应用。该器件由VBsemi公司生产,具备TrenchFET®技术,能承受175°C的结温,具有低的导通电阻和良好的热特性。"
30N06-TO252-VB MOSFET是VBsemi公司推出的一款高性能功率MOSFET,主要特点是采用了TrenchFET®技术,这种技术通过在硅片上形成深沟槽结构,大大减小了导通电阻,从而提高了效率和开关性能。这款MOSFET的导通电阻在VGS=10V时仅为0.025Ω,而在VGS=4.5V时为0.030Ω,这使得它在高电流、低损耗的应用场景中表现出色。
在电气特性方面,30N06-TO252-VB的最大门极-源极电压(VGS)为±20V,连续漏极电流(ID)在结温TJ=175°C时为60A。此外,脉冲漏极电流(IDM)可达到100A,而连续源极电流(IS)为23A,这意味着它能够在短时间内处理大电流的脉冲。对于保护电路设计,该MOSFET的雪崩电流(IAS)为20A,单次雪崩能量(EAS)为20mJ,确保了在过载条件下的稳定性。
在散热方面,30N06-TO252-VB的热阻抗参数对于设备的长期稳定运行至关重要。最大结温至环境的热阻(RthJA)在10秒内典型值为18°C/W,最大值为22°C/W,这意味着在短时间内,每增加1W的功率损耗,芯片温度会上升18到22°C。而结至壳热阻(RthJC)的典型值为3.2°C/W,最大值为4°C/W,这有助于将芯片内部产生的热量快速传递到外壳。
30N06-TO252-VB的TO252封装设计意味着它可以方便地安装在电路板上,并且其引脚布局为S(源极)、G(栅极)、D(漏极),其中漏极与散热片连接,有助于提高散热效率。这款MOSFET符合RoHS标准,确保了环保要求。
30N06-TO252-VB是一款适用于高功率、低损耗应用的N沟道MOSFET,特别适合需要高效能和良好热管理的电路设计,如电源转换、电机驱动、负载开关等。用户可以通过VBsemi的官方网站或客户服务热线获取更多产品信息和技术支持。
2024-01-06 上传
2023-12-18 上传
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