9985GM-VB是一款由VBSEMI公司生产的SOP8封装N-Channel场效应MOS管,它专为高性能应用设计,具备一系列独特的特性。这款MOSFET采用了先进的Trench FET技术,提供高效能和低损耗的开关性能。以下是关于9985GM-VB的关键知识点:
1. 封装与环保 - 该MOSFET采用SOP8封装,即Surface Mount Package,这是一种小型化设计,适用于空间受限的电路板。同时,它符合RoHS指令2002/95/EC,表明其在制造过程中不含有卤素及其他有害物质,符合严格的环保标准。
2. 电气参数 - 9985GM-VB具有40V的耐压等级(D-S电压),在10A连续漏电流下,RDS(ON)在VGS=10V时为14毫欧姆,而在VGS=20V时有所增加。阈值电压(Vth)为1.6V,这确保了在不同工作条件下良好的开关性能。
3. 测试验证 - 产品通过了100%的Rg(栅极电阻)和UIST(单元级绝缘测试),确保了高质量的制造过程和可靠性的保障。
4. 应用场景 - 9985GM-VB适用于多种应用,如同步整流、电源管理(POL, IBC)以及次级侧电源转换。特别适合需要高效、小型化的场合,如开关电源、电机控制等。
5. 热性能 - 在标准操作条件下,最大功耗密度为6W/cm²,这意味着即使在高温下(如70°C),也能够保持稳定运行。存储温度范围为-55°C至+150°C,满足不同的环境要求。
6. 脉冲电流规格 - 该MOSFET支持高脉冲电流(如15A的avalanche current)和能量处理能力(11mJ),适用于对短路保护有较高要求的电路。
7. 其他特性 - 例如,持续源极-漏极二极管电流(S)为5A,这有助于提供一定的负载保护。同时,产品还提供了一系列的电流限制参数,如连续工作条件下的最大电流(IDM)和短路条件下的电流(IAS, EAS)。
8. 安装注意事项 - 9985GM-VB是一个表面贴装元件,需安装在1英寸x1英寸的FR4板上,且在10秒内测试的典型结温(t=10s)下的数据。
9985GM-VB是一款具有高效率、低损耗、广泛应用范围和严格测试认证的N-Channel MOSFET,是设计高性能电子设备的理想选择。