9467GM-HF-VB MOSFET晶体管：40V N-Channel沟道技术规格与应用

"9467GM-HF-VB是一款由VBSEM生产的N-Channel沟道SOP8封装的MOSFET晶体管，主要特点包括无卤素设计、TrenchFET功率MOSFET技术、100%Rg和UIS测试，符合RoHS指令。适用于同步整流和POL、IBC等应用。该器件的关键参数包括：40V的额定漏源电压（VDS）、10A的连续漏极电流（ID）、14mΩ的RDS(ON) @ VGS=10V或20V，以及1.6V的阈值电压（Vth）。" 9467GM-HF-VB是一款高性能的N沟道MOSFET，采用8引脚的SOP8封装，适合在电子设备的小型化设计中使用。其N沟道设计意味着它需要正栅极电压相对于源极来开启，这使得它适合在低电压系统中作为开关元件，比如电源管理电路。 器件的主要特性之一是TrenchFET技术，这是一种利用沟槽结构提高MOSFET性能的技术，可以降低导通电阻，提高效率，并减少芯片尺寸。此外，100%的Rg和UIS测试确保了其可靠性和瞬态保护能力，使其能够在高浪涌电流情况下保持稳定。 这款MOSFET的电气特性表现在其低RDS(ON)，这意味着在导通状态下，器件的内阻较小，因此在大电流通过时产生的功率损耗较低，从而提高了整体系统的能效。14mΩ的RDS(ON)数值是在VGS为10V或20V时测得，表明在这些栅极电压下，MOSFET能以非常低的电阻状态工作。 阈值电压Vth为1.6V，这是决定MOSFET开启和关闭的关键参数。在实际应用中，需要确保提供足够的栅极电压来超过这个阈值，以保证MOSFET能够完全开启。 绝对最大额定值方面，9467GM-HF-VB可以承受40V的漏源电压，以及±20V的栅极源电压。在不同温度条件下，连续漏极电流ID有所不同，以防止过热和损坏。例如，在25°C时，ID可达10A，而在70°C时，ID为5A。此外，MOSFET还具有短暂脉冲电流能力，峰值Avalanche电流可达15A，可承受一定的雪崩能量。 9467GM-HF-VB是一款适用于各种电源转换、同步整流和低电压电源应用的高效MOSFET，其小型封装、低RDS(ON)和优良的电气特性使其成为许多电子设计的理想选择。在使用时，需要确保满足其工作条件，以确保器件的长期稳定性和系统性能。