9467GM-HF-VB MOSFET晶体管:40V N-Channel沟道技术规格与应用
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更新于2024-08-03
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"9467GM-HF-VB是一款由VBSEM生产的N-Channel沟道SOP8封装的MOSFET晶体管,主要特点包括无卤素设计、TrenchFET功率MOSFET技术、100%Rg和UIS测试,符合RoHS指令。适用于同步整流和POL、IBC等应用。该器件的关键参数包括:40V的额定漏源电压(VDS)、10A的连续漏极电流(ID)、14mΩ的RDS(ON) @ VGS=10V或20V,以及1.6V的阈值电压(Vth)。"
9467GM-HF-VB是一款高性能的N沟道MOSFET,采用8引脚的SOP8封装,适合在电子设备的小型化设计中使用。其N沟道设计意味着它需要正栅极电压相对于源极来开启,这使得它适合在低电压系统中作为开关元件,比如电源管理电路。
器件的主要特性之一是TrenchFET技术,这是一种利用沟槽结构提高MOSFET性能的技术,可以降低导通电阻,提高效率,并减少芯片尺寸。此外,100%的Rg和UIS测试确保了其可靠性和瞬态保护能力,使其能够在高浪涌电流情况下保持稳定。
这款MOSFET的电气特性表现在其低RDS(ON),这意味着在导通状态下,器件的内阻较小,因此在大电流通过时产生的功率损耗较低,从而提高了整体系统的能效。14mΩ的RDS(ON)数值是在VGS为10V或20V时测得,表明在这些栅极电压下,MOSFET能以非常低的电阻状态工作。
阈值电压Vth为1.6V,这是决定MOSFET开启和关闭的关键参数。在实际应用中,需要确保提供足够的栅极电压来超过这个阈值,以保证MOSFET能够完全开启。
绝对最大额定值方面,9467GM-HF-VB可以承受40V的漏源电压,以及±20V的栅极源电压。在不同温度条件下,连续漏极电流ID有所不同,以防止过热和损坏。例如,在25°C时,ID可达10A,而在70°C时,ID为5A。此外,MOSFET还具有短暂脉冲电流能力,峰值Avalanche电流可达15A,可承受一定的雪崩能量。
9467GM-HF-VB是一款适用于各种电源转换、同步整流和低电压电源应用的高效MOSFET,其小型封装、低RDS(ON)和优良的电气特性使其成为许多电子设计的理想选择。在使用时,需要确保满足其工作条件,以确保器件的长期稳定性和系统性能。
2024-04-10 上传
2024-04-10 上传
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