4N06L23-VB N沟道TO252封装场效应管：高温性能与规格概览

4N06L23-VB是一款专为工业级应用设计的TrenchFET® PowerMOSFET，它属于N沟道晶体管，采用TO252封装，适合那些对功率密度、热性能和高可靠性的电子设备有较高要求的应用场景。这款场效应管的主要特性包括： 1. **高温耐受性**：4N06L23-VB的结温（TJ）可达175°C，这意味着它能在严苛的温度环境下稳定工作。 2. **低阻态电阻**：在VGS（栅源电压）为10V时，rDS(on)仅为0.025Ω，当VGS为4.5V时，这一数值进一步降低到0.030Ω，表现出出色的开关效率。 3. **电流能力**：连续导通电流ID在室温下可以达到较大值，如在25°C时的持续 Drain Current (TC=25°C)为A级，而在100°C下的脉冲峰值电流（Pulsed Drain Current IDM）为100A。此外，单个雪崩电流（IAS）为20A，这对于防止过载保护非常重要。 4. **电能消耗与散热**：最大功率损耗PD在25°C时为100W，具有良好的热管理性能。同时，它提供了不同的热阻抗，如Junction-to-Ambient（J-A）典型值为18°C/W，而Junction-to-Case（J-C）典型值为3.2°C/W，确保了有效的热量传递。 5. **工作温度范围**：该场效应管的工作范围宽广，从-55°C至175°C，满足各种环境条件下的稳定运行。存储温度范围也相当宽，表明它能承受长时间的极端存储条件。 6. **封装与安装**：4N06L23-VB是表面贴装元件，适用于1"x1" FR4电路板上，但需注意在短时间内不超过10秒的热时间常数限制。 7. **电气参数**：如最高栅源电压（VGS）为±20V，持续源电流（IS）为23A，单个雪崩能量（EAS）为20mJ，这些数据对于电路设计和安全裕度至关重要。 8. **兼容性和认证**：该产品符合RoHS*标准，确保了环保要求，并且提供400-655-8788的服务热线支持。 4N06L23-VB场效应管是一款高性能的工业级晶体管，适用于需要高效、稳定和可靠电力控制的电路设计，尤其是在高温和高压环境下。在设计电路时，必须充分考虑其电气特性和热性能限制，以确保最佳的系统表现。