FDS3672-NL-VB MOSFET: 100V N沟道高效能应用解析

“FDS3672-NL-VB是一款N沟道SOP8封装的MOSFET，具备100V的工作电压，9A的连续漏极电流（ID），以及在10V和4.5V栅源电压下的低RDS(ON)分别为32mΩ和34mΩ。这款MOSFET符合RoHS指令，适用于开关应用。” **FDS3672-NL-VB MOSFET详解** 该MOSFET是一款N沟道金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET），采用SOP8封装，适用于电源管理、开关等应用。其主要特点包括： 1. **无卤素**：根据IEC61249-2-21定义，这款MOSFET不含卤素，符合环保要求。 2. **极低Qgd**：Qgd是栅极电荷与漏极电荷之和，它直接影响开关过程中的损耗。极低的Qgd意味着在快速开关操作中能减少能量损失，提高系统效率。 3. **100% Rg测试**：所有产品都经过了栅极电阻测试，确保了产品的质量和一致性。 4. **100% Avalanche测试**：通过了雪崩电流测试，表明其在过压条件下的安全性，能够在一定程度上承受过载而不损坏。 5. **RoHS合规**：符合欧盟RoHS指令2002/95/EC，不含有害物质。 **技术参数** - **额定电压**：VDS的最大值为100V，这意味着MOSFET可以承受的最大电压差。 - **栅源电压**：VGS的最大值为±20V，这决定了MOSFET的开启和关闭状态。 - **连续漏极电流**：在不同温度下，ID有不同的限制。在25°C时，ID最大为9A，而在70°C时，ID降为6A。 - **脉冲漏极电流**：IDM的最大值为40A，用于短暂的大电流脉冲应用。 - **连续源漏二极管电流**：IS在25°C时为7A，考虑到了MOSFET作为二极管工作时的电流能力。 - **单脉冲雪崩电流**：IAS为30A，允许的单次雪崩电流，表明了其过载能力。 - **单脉冲雪崩能量**：EAS为112mJ，这是MOSFET在雪崩条件下可承受的最大能量。 - **最大功率耗散**：在25°C时，PD为14W，70°C时降低至5W，这限制了MOSFET在特定环境温度下的工作功率。 - **热特性**：给出了热阻抗参数，影响MOSFET的散热性能。 **应用领域** - **主侧开关**：由于其低RDS(ON)和高速开关性能，FDS3672-NL-VB适合用作电源系统的主侧开关元件。 **总结** FDS3672-NL-VB是一款高性能的N沟道MOSFET，设计用于需要高效、低损耗和高可靠性的电路中。其SOP8封装使其易于集成到各种电子设备中，而其优秀的电气特性和安全性能确保了在实际应用中的稳定表现。