IPD036N04L-VB：40V N沟道MOSFET在电源应用中的性能解析

"IPD036N04L-VB是一款由VBsemi生产的N沟道TO252封装的MOSFET，主要特点包括采用TrenchFET®技术的功率MOSFET，通过100%的Rg和UIS测试。这款MOSFET适用于同步整流和电源供应等应用。其关键参数包括40V的额定漏源电压（VDS），在10V栅极电压下的RDS(on)为5mΩ，85A的连续漏电流（ID），以及低至1.85V的阈值电压（Vth）。产品摘要显示，该MOSFET在25°C时的最大功率耗散为312W。" IPD036N04L-VB是一款高性能的N沟道MOSFET，采用了先进的TrenchFET®技术，这使得它具有更低的导通电阻和更好的热效率。其40V的额定漏源电压(VDS)使其适用于需要处理高电压瞬变的电路。在10V的栅极-源极电压(VGS)下，RDS(on)仅为5mΩ，这意味着在开关操作中它能提供极低的导通电阻，从而在高电流流动时降低损耗。 这款MOSFET的最大连续漏电流ID为85A，在25°C和175°C的工作温度下分别限制为85A和70A，确保了在不同环境温度下的稳定工作。Qg（总栅极电荷）为80nC，这表示开关速度快，开关损耗低，对于高速开关应用特别有利。 MOSFET的阈值电压Vth为1.85V，这个数值决定了MOSFET开始导通所需的最小栅极电压，对控制电路的设计至关重要。在25°C时的最大功率耗散能力为312W，而70°C时则降至200W，这表明该器件具有良好的散热性能。 此外，IPD036N04L-VB还经过了脉冲电流（IDM）和雪崩能量（EAS）测试，允许短时间内的高电流脉冲和安全的雪崩操作，增强了其在高压、大电流环境下的可靠性。在25°C时，持续源漏二极管电流IS可达110A，而静态电流在不同温度下有所变化，确保了作为续流二极管的稳定性能。 TO252封装设计便于表面安装，并提供了良好的热管理能力。其最大结温范围从-55°C到150°C，扩展了其在各种环境条件下的工作可能性。热阻特性包括结到壳的热阻，这些参数对于评估器件在实际应用中的散热性能至关重要。 IPD036N04L-VB是一款高性能、高效率的N沟道MOSFET，适用于需要高效能和低损耗的电源转换、同步整流等应用，其优越的电气特性和封装设计使其成为电力电子系统设计的理想选择。