BSH102-VB: 30V N-Channel SOT23 MOSFET with Low RDS(on) for DC/DC...

BSH102-VB是一款采用SOT23封装的高性能N-Channel场效应MOS管，由VBSEMI公司生产。这款器件具有环保特性，符合IEC61249-2-21标准，采用了先进的Trench FET®技术，确保了出色的性能和可靠性。它的主要特性包括： 1. **封装类型**: SOT23封装，这是一种紧凑型设计，适合于空间受限的应用。 2. **电压规格**: N-Channel沟道，能够承受高达30V的 Drain-Source (D-S)电压。同时，它支持两种工作电压条件：在VGS=10V时，RDS(ON)低至30mΩ；而在VGS=20V时，其RDS(ON)略有增加。 3. **电流能力**: 最大连续导通电流ID在不同温度下有所不同，例如在室温下为6.5A，随着温度升高，最大值会降低，如在70°C时为6.0A。脉冲电流限制（IDM）为25A，确保了安全的过载保护。 4. **电荷存储**: Qg（Typ.）表示栅极漏电流，在典型条件下，10V VGS下的漏电荷为4.5nC，而在4.5V VGS下则为6.0nC。 5. **热性能**: 考虑到散热限制，最大功耗为1.7W（25°C），但在70°C时降至1.1W。存储温度范围广泛，从-55°C到150°C，允许在各种环境条件下稳定工作。 6. **安全与合规性**: 该MOSFET通过了RoHS指令2002/95/EC，保证了无卤素和有害物质的使用，对环境友好。此外，100%的Rg（栅极电阻）测试确保了高质量标准。 7. **应用领域**: BSH102-VB适用于DC/DC转换器等高效率电源管理应用，其小尺寸和高效性能使其成为电路板上理想的开关元件。 8. **安装与推荐操作条件**: 建议在1"x1" FR4板上表面安装，注意峰值焊接温度不超过260°C，以防止热损伤。 BSH102-VB是专为需要高效率、低损耗和紧凑设计的电子系统设计的N-Channel MOSFET，它集成了多种特性，确保了在各种应用场景中的稳定性和可靠性。在选择和使用时，需考虑其温度限制和功率处理能力，以确保最佳性能和系统稳定性。