TOSHIBA 55VEM316AXBN: 8MB 16位CMOS SRAM with Low Power & Battery ...
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更新于2024-08-13
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Toshiba的TC55VEM316AXBN是一款高性能的8,388,608位静态随机存取存储器(SRAM),它采用先进的CMOS硅栅工艺技术制造。这款器件以524,288个16位字为单位组织,每个数据单元可存储16位数据。其主要特性包括:
1. 电源兼容性:TC55VEM316AXBN支持宽范围的电压操作,可以从单个2.3伏特到3.6伏特,这意味着它适用于各种低功耗应用,同时保持高速性能。
2. 速度与效率:得益于先进的电路设计,这款存储器在3毫安/兆赫兹的工作电流下表现出高数据传输速度,具有40纳秒的最小访问周期。这使得它在追求高速处理的同时,能有效降低能耗。
3. 低功耗模式:当芯片使能信号(CE1)被拉高或使能信号(CE2)被拉低时,该器件会自动进入低功耗模式,典型情况下,在3伏特供电且温度为25摄氏度时,它可以在0.7微安的待机电流下工作,提供电池备份功能。
4. 控制选项:设备提供了三个控制输入:两个使能输入CE1和CE2,用于选择设备和数据保留控制;输出使能OE允许快速内存访问;而数据字节控制线LB和UB则提供了低和高字节的选择。
5. 适用范围广泛:TC55VEM316AXBN由于其出色的性能和温度兼容性(-40°C至85°C),非常适合于对高速、低功耗及电池备用功能有严格要求的微型处理器系统应用,如便携式电子设备和嵌入式系统等。
6. 稳定性与可靠性:通过Toshiba的高质量CMOS制造工艺,这款内存芯片提供了稳定的性能和长期的使用寿命,是构建高效能电子设备的理想选择。
总结来说,TC55VEM316AXBN是一款高度集成的16位SRAM,凭借其高性能、低功耗特性和广泛的温度适应性,成为现代电子设备中不可或缺的关键组件,尤其适合那些对电池续航和系统响应速度有严格要求的应用场景。
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LC灵灵
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