TOSHIBA 55VEM316AXBN: 8MB 16位CMOS SRAM with Low Power & Battery ...

Toshiba的TC55VEM316AXBN是一款高性能的8,388,608位静态随机存取存储器(SRAM)，它采用先进的CMOS硅栅工艺技术制造。这款器件以524,288个16位字为单位组织，每个数据单元可存储16位数据。其主要特性包括： 1. 电源兼容性：TC55VEM316AXBN支持宽范围的电压操作，可以从单个2.3伏特到3.6伏特，这意味着它适用于各种低功耗应用，同时保持高速性能。 2. 速度与效率：得益于先进的电路设计，这款存储器在3毫安/兆赫兹的工作电流下表现出高数据传输速度，具有40纳秒的最小访问周期。这使得它在追求高速处理的同时，能有效降低能耗。 3. 低功耗模式：当芯片使能信号（CE1）被拉高或使能信号（CE2）被拉低时，该器件会自动进入低功耗模式，典型情况下，在3伏特供电且温度为25摄氏度时，它可以在0.7微安的待机电流下工作，提供电池备份功能。 4. 控制选项：设备提供了三个控制输入：两个使能输入CE1和CE2，用于选择设备和数据保留控制；输出使能OE允许快速内存访问；而数据字节控制线LB和UB则提供了低和高字节的选择。 5. 适用范围广泛：TC55VEM316AXBN由于其出色的性能和温度兼容性（-40°C至85°C），非常适合于对高速、低功耗及电池备用功能有严格要求的微型处理器系统应用，如便携式电子设备和嵌入式系统等。 6. 稳定性与可靠性：通过Toshiba的高质量CMOS制造工艺，这款内存芯片提供了稳定的性能和长期的使用寿命，是构建高效能电子设备的理想选择。 总结来说，TC55VEM316AXBN是一款高度集成的16位SRAM，凭借其高性能、低功耗特性和广泛的温度适应性，成为现代电子设备中不可或缺的关键组件，尤其适合那些对电池续航和系统响应速度有严格要求的应用场景。