TOSHIBA 1.048Mbit 16-bit CMOS SRAM: TC55VEM416AXBN55 Low-Power &...

TOSHIBA-TC55VEM416AXBN55是一款由东芝公司采用先进CMOS硅栅工艺技术制造的16位全CMOS静态随机存取内存（SRAM）芯片。这款内存的主要特性包括1,048,576个存储单元，每个单元有16位，总共有16,777,216位。它支持宽广的电源电压范围，从2.3V到3.6V，这使得它在各种应用中具有灵活性，特别是对于那些对高速度、低功耗和电池备用功能有高要求的微处理器系统。 TC55VEM416AXBN在设计上注重性能与能效平衡。其工作时的典型电流消耗仅为3mA/MHz，这意味着随着频率的提高，其功耗保持在合理水平。它的最低周期时间仅需55ns，这意味着数据访问速度非常快，这对于实时处理和快速响应的应用至关重要。 此外，该设备提供了两个芯片选择输入（CE1和CE2），用于选择设备并控制数据保留。输出使能（OE）信号允许快速的内存访问，而数据字节控制引脚（LB和UB）则允许用户选择读取或写入低字节或高字节。在节能模式下，当CE1被拉高或CE2被拉低时，芯片能在0.9μA的待机电流下进入低功耗状态，从而显著降低在非工作状态下对电池的消耗。 温度适应性是TC55VEM416AXBN的一个重要特性，它确保了在极端环境下的稳定操作，从-40°C到+85°C，这使得它能够在严酷的工业环境或者便携式设备中长时间可靠工作。 TC55VEM416AXBN是一款高性能且节能的内存解决方案，特别适合于对速度、低功耗和可靠性有高要求的现代电子系统，无论是嵌入式设备、工业自动化还是移动计算应用。通过其独特的设计和技术优势，东芝的这款产品为工程师们提供了高效和经济的选择。