"ADSs3c44b0x文档中文"
本文档主要介绍了Samsung的S3C44B0X处理器,这是一种专为手持设备设计的16/32位RISC(精简指令集计算机)处理器,旨在提供高性价比的解决方案。ADS(Arm Development Studio)是用于开发此类微处理器的集成开发环境,本中文教程则详细阐述了如何使用ADS进行开发工作。
S3C44B0X的关键特性包括:
1. **CPU核心**:采用2.5V ARM7TDMI内核,内置8K字节高速缓存,可以提供高效处理能力。
2. **内存配置**:支持内部SRAM,并有多种外部存储器控制器,如芯片选择逻辑、FP/EDO/SDRAM控制器,可以灵活配置内存大小和类型。
3. **通信接口**:拥有2个UART(通用异步收发传输器),支持IrDA1.0和16字节FIFO,以及1个SIO通道。此外,还有2个通用DMA和2个外围DMA通道,可响应外部请求引脚。
4. **显示支持**:内置LCD控制器,能支持最大256色的STN显示屏,并通过LCD专用DMA优化显示性能。
5. **定时器与中断**:包括5个PWM(脉宽调制)定时器、1个内部定时器、71个通用I/O端口和8个外部中断源。
6. **其他功能**:实时时钟(RTC)带日历功能,8个10位ADC(模数转换器),1个多主控IIC-BUS控制器,1个IIS-BUS控制器,同步SIO接口,以及内建的时钟发生器带锁相环(PLL)。
7. **电源管理**:支持正常、慢速、空闲和停止四种模式,以优化功耗。
8. **地址空间和总线架构**:采用三星的SAMBA2嵌入式总线结构,每个银行地址空间为32MB,总共256MB。支持8/16/32位数据总线宽度的可编程配置,并有7个固定起始地址和可编程大小的内存银行。
9. **内存银行**:8个内存银行,其中6个用于ROM、SRAM等,另外2个专为ROM/SRAM/DRAM(快速页、EDO和同步DRAM)设计。
10. **访问周期**:完全可编程的访问周期,确保对各种外部存储器的灵活控制。
在ADS环境下,开发者可以利用这些特性编写、编译、调试和优化针对S3C44B0X的应用程序。该中文教程将涵盖设置项目、编写代码、链接库、调试技巧等多个环节,帮助开发者熟练掌握S3C44B0X平台的开发工作。对于希望在手持设备上构建嵌入式系统的工程师来说,这份文档是一份宝贵的参考资料。