"ZXMP10A18GTA-VB是一种P沟道的MOSFET,采用SOT223封装,适用于功率转换和照明应用中的高边开关。这款MOSFET具备TrenchFET技术,提供优化的性能和可靠性。其主要特性包括100V的耐压能力,低的导通电阻(RDS(on)),以及快速的开关特性。在不同温度下,其最大连续漏极电流(ID)有所不同,适合在各种工作环境条件下使用。"
ZXMP10A18GTA-VB是一款P沟道金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET),由先进的TrenchFET技术制造,这种技术利用沟槽结构来提升器件的开关速度和降低导通电阻,从而提高整体效率。在SOT223封装下,它适合表面安装在1"x1"的FR4电路板上。
该器件的关键参数包括:
- 耐压(VDS):-100V,这意味着MOSFET可以承受高达100V的电压差。
- 导通电阻(RDS(on)):在-10V的栅极源电压(VGS)下,RDS(on)为0.200Ω;在-6V的VGS下,RDS(on)为0.230Ω。较低的RDS(on)意味着更低的功耗和更好的效率。
- 连续漏极电流(ID):在25°C时,最大ID为-3.0A,但随着温度升高,ID会有所降低。
- 总栅极电荷(Qg):典型值为13.2nC,表示开关操作所需的电荷量,影响开关速度。
- 其他关键特性如脉冲漏极电流(IDM)、连续源漏二极管电流(IS)、雪崩电流(IAS)和单脉冲雪崩能量(EAS)也给出了具体数值,确保了设备在过载条件下的安全操作。
在应用方面,ZXMP10A18GTA-VB主要用于中间直流/直流电源的主动钳位、照明应用中的H桥高边开关。这些应用通常需要高效的电源管理和高可靠性的开关元件。
绝对最大额定值包括:
- 栅极源电压(VGS):±20V,超出此范围可能会损坏MOSFET。
- 最大功率耗散(PD):在不同温度下有不同的限制,以防止过热。
- 操作和存储的结温范围(TJ,Tstg):-55至150°C,保证了MOSFET在宽温范围内的稳定工作。
此外,还提供了关于在特定条件下如在1"x1"FR4板上表面安装后的散热参数,以及在不同温度下器件的最大连续漏极电流会有所下降的注释,这些都是设计电路时需要考虑的重要因素。ZXMP10A18GTA-VB是适用于高效率、高密度电源解决方案的理想选择,特别是对于那些需要精确控制和高效能的P沟道MOSFET应用。