ZXMP10A17GTA-VB: P沟道SOT223封装100V场效应管详解

ZXMP10A17GTA-VB是一款高性能的P沟道场效应管，采用TrenchFET® PowerMOSFET技术，专为在高压、高效率应用中提供出色的性能而设计。这款晶体管的特点是其紧凑的SOT223封装，便于表面安装在1英寸x1英寸的FR4板上，这使得它在小型化设计中具有很高的灵活性。 其主要特性包括： 1. 耐压能力：场效晶体管的最大 Drain-Source（D-S）电压可达100V，确保了它在高压直流/直流电源转换和照明应用中的可靠工作。 2. 低阻抗：在VGS为-10V时，RDS(on)仅为0.200Ω，而在VGS为-6V时，这一数值下降至0.230Ω，表明了极佳的开关性能。 3. 电流规格：典型情况下，当TJ（结温）为150°C时，连续导通电流ID可以达到-3.0A。同时，还提供了不同温度下的脉冲电流限制，如连续源-漏电流IS和单脉冲雪崩电流等。 4. 安全特性：内置的保护机制包括最大功率耗散限制，例如在25°C下，最大允许功率为6.5W，而在70°C下有所降低，以防止过热。 5. 温度范围：该器件适用于广泛的温度工作环境，从-55°C到150°C，包括操作温度TJ和存储温度Tstg。 6. 散热设计：为了保证长期稳定运行，产品注释指出，当t=10s时，最大静态热耗散状态下的结温为80°C/W，表明良好的散热设计。 这款ZXMP10A17GTA-VB场效应管适用于诸如主动钳位中间直流/直流电源供应、H桥高侧开关用于照明应用等场合，由于其高效的性能和紧凑的封装，是现代电子设备中追求低功耗、高效率设计的理想选择。在实际应用中，用户需要根据具体的设计参数和负载条件，正确选择并计算电路的参数，以确保器件的使用寿命和系统稳定性。