WNM2021-VB: 20V N沟道SC70-3封装MOS管，高耐压与ESD防护

WNM2021-VB是一款高性能的N沟道SC70-3封装MOSFET，由Trench FET®技术制造，特别适用于各种便携式设备和工业应用。该器件具有以下关键特性： 1. **环保设计**：符合IEC 61249-2-21标准，不含卤素，对环境友好。 2. **高压耐受性**：具有典型的ESD保护，能承受高达2000V的HBM静电放电电压。 3. **高可靠性**：经过100% Rg测试，确保在严苛条件下仍保持稳定性能。 4. **法规遵从性**：符合RoHS指令2002/95/EC，关注电子废弃物管理。 5. **应用广泛**： - **便携式设备**：适用于负载开关和电池开关。 - **电机、继电器和电磁铁负载开关**，表现出良好的控制能力。 产品规格： - **最大漏源电压** (VDS)：20V，确保安全工作范围。 - **典型Rds(on)**（导通电阻）：在VGS=10V时为0.036Ω，随着VGS电压降低，如VGS=4.5V时为0.040Ω，VGS=2.5V时为0.048Ω。 - **最大连续漏电流**（ID）：在不同温度条件下，如25°C时可达4A，而在70°C时则降为3.6A。 - **脉冲漏电流（IDM）**：峰值电流限制为20A，适合短时间高功率需求。 - **源漏二极管电流**（IS）：在25°C下，静态状态下IS约为2.3A，但在70°C时降至1.3A。 - **热耗散能力**（PD）：25°C时的最大功耗为2.8W，70°C时降为1.8W，注意在操作和存储温度范围内需控制散热。 操作和储存温度范围为-55°C至150°C，确保了器件在各种环境条件下的稳健表现。由于其紧凑的SC70-3封装，这款MOSFET适合表面安装在小型电路板上，如1"x1"FR4板，且对于包装限制，当温度为25°C时，最大稳态条件下功耗限制为125°C/W。 总体而言，WNM2021-VB是一款高效、可靠并满足各种环境和应用需求的N沟道MOSFET，是设计高性能电子设备的理想选择。