IGBT选型关键点：速度、损耗与耐久性对比

在IGBT选型过程中，需要考虑多个关键因素以确保设备的性能、可靠性和成本效益。本文将深入探讨几个重要的注意事项： 1. **技术类型**： - NPT (Negative Temperature Coefficient) 和 PT (Positive Temperature Coefficient) 技术在IGBT中存在差异。NPT IGBT的VCE(on)随着温度上升而增大，而PT IGBT的VCE(on)会下降。选择时要考虑所需的开关速度和温度稳定性，高速IGBT通常具有较高的VCE(on)值，而低速IGBT则反之。 2. **开关损耗**： - 为了减小开关损耗，设计者需在给定的VCE(on)下选择具有高开关功能且总开关能量较低的IGBT，这可能意味着牺牲部分速度，但能降低总的能源消耗。 3. **坚固耐用性**： - NPT IGBTs通常具有更好的短路耐受能力，因为它们的基极和PNP双极型晶体管具有较低的增益，这使得它们能吸收更多雪崩能量。相比之下，PT器件在这方面可能较弱。 4. **温度效应**： - 开启时，无论是PT还是NPT IGBT，其开关速度和损耗在一定温度范围内基本不受影响。然而，反向恢复电流随温度上升而增加，这直接影响到电源电路中的IGBT开启损耗。NPT IGBT的关断速度和损耗在工作温度范围内保持稳定，而PT IGBT的关断速度会随着温度的升高而下降。 5. **电压等级和产品系列**： - 微芯半导体的Advanced Power Technology提供了多种快速的IGBT产品，如1200伏的PT IGBT系列（如功率MOS7yy'IGBT），以及利用NPT技术更容易实现高电压应用的产品。 IGBT选型时必须权衡速度、损耗、耐受能力和成本，同时考虑不同技术类型的特性及其对温度的响应。根据具体的应用需求和环境条件，合理选择最适合的IGBT型号是至关重要的。在设计过程中，参考专业的技术资料和制造商的指导，如Microsemi公司的产品和技术文档，可以帮助做出最佳决策。