APM2314AC-TRL-VB是一款由VBSEMILABS生产的高性能N-Channel沟道SOT23封装MOSFET(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor)晶体管。这款器件的特点包括:
1. **环保设计**:符合IEC 61249-2-21标准,不含卤素,满足RoHS指令2002/95/EC的要求,体现了对环境友好的制造理念。
2. **技术规格**:
- **沟道结构**:采用Trench FET®技术,提供优秀的开关性能。
- **电压等级**:耐压高达20V,门极源极电压范围为±12V。
- **电流能力**:
- 连续漏极电流:在VGS=4.5V时,最大值为6A,随着VGS增加,电流略有提升,如VGS=8V时为6A,VGS=2.5V时为0.050A。
- 最大脉冲漏极电流(IDM):在25°C下为20A。
- **其他特性**:例如饱和漏极导通电阻RDS(ON),在VGS=4.5V时仅为24mΩ,具有较低的阻值,有利于低损耗应用。
3. **热管理**:
- 工作温度范围广泛,从-55°C到150°C,允许在极端条件下运行。
- 考虑到散热效率,最大功率耗散在不同温度下有所限制,如在70°C时,连续最大功率为2.1W(TC=70°C),存储温度下为1.3W(TA=25°C)。
4. **封装形式**:采用紧凑的SOT23封装,占用空间小,适合于小型化和高密度电路板设计。
- 封装尺寸:1"x1" FR4板上的表面安装,方便集成到各种电子产品中。
5. **应用领域**:APM2314AC-TRL-VB适用于多种直流/直流转换器和便携式设备中的负载开关,特别适合那些对功耗、体积和热管理有较高要求的应用。
6. **注意事项**:
- 一些参数受限于封装(如包装限制),并且建议在指定的测试条件下使用,如5秒脉宽(t=5s)。
- 在选择使用时,需参考特定温度下的额定值,如在70°C下的性能比25°C时略低。
APM2314AC-TRL-VB是一款具有优良性能、高效能和广泛应用潜力的N-Channel沟道MOSFET,尤其适合对电源管理要求高的现代电子设备。在设计电路时,务必考虑到其工作电压、电流能力、散热需求以及封装特性,以确保系统稳定性和可靠性。