ELM33404CA-VB N-Channel MOSFET: 特性、应用与关键参数

"ELM33404CA-VB是一款由VB Semiconductor推出的N-Channel沟道SOT23封装的MOSFET晶体管，适用于DC/DC转换器等应用。这款MOSFET具备低阻抗、环保无卤素、TrenchFET技术等特点，并且已经通过了100%的Rg测试，符合RoHS指令。其主要参数包括：最大 Drain-Source 电压VDS为30V，当VGS=10V时的RDS(on)为30mΩ，ID连续漏电流在不同温度下有所变化，Qg典型值为4.5nC。此外，该器件还提供了绝对最大额定值、脉冲漏电流、连续源漏二极管电流以及最大功率耗散等相关数据。" ELM33404CA-VB是一款高性能的N-Channel沟道MOSFET，其采用TrenchFET技术，这种技术利用沟槽结构来降低电阻，从而实现更低的导通电阻RDS(on)，在VGS=10V时，RDS(on)仅为30毫欧，这有利于在高频率和低功耗应用中提供更高效的开关性能。同时，该MOSFET符合IEC61249-2-21定义的无卤素标准，符合RoHS指令，确保了环保性。 产品的主要应用场景包括DC/DC转换器，这类应用通常需要高效能的开关元件来控制电流流动。在电气特性方面，该MOSFET的最大Drain-Source电压VDS为30V，能够承受一定范围的电压波动。而连续漏电流ID在不同温度下有所不同，如在TJ=150°C时，ID最大为6.5A，而在TJ=70°C时，ID降为6.0A。 此外，MOSFET的栅极-源极电压VGS的额定值为±20V，允许一定的电压范围操作。Qg（总栅极电荷）是衡量开关速度的关键指标，ELM33404CA-VB的典型值为4.5nC，表明其开关速度快，适合快速切换的应用。IS是连续源漏二极管电流，最大值在TJ=25°C时为1.4A，在TJ=70°C时则降至0.9A。最大功率耗散PD在不同温度下也有差异，如在TJ=25°C时，PD为1.7W，而在TJ=70°C时，PD降为1.1W。 总结起来，ELM33404CA-VB是一款设计精良、性能出色的N-Channel沟道MOSFET，适用于需要高效、低损耗开关功能的电子设备，如电源管理、DC/DC转换器等领域，其低RDS(on)、小尺寸SOT23封装和良好的热特性使其在紧凑型电路设计中具有很高的价值。