双扩展忆阻器的SPICE模型仿真与参数分析

本文主要探讨了双扩展忆阻器（Dual-Extended Memristor）在SPICE模拟中的建模方法。双扩展忆阻器作为一种新兴的非线性存储元件，其理论概念起源于1971年Leon Chua的理论推测，但实际实现直到2008年由Dmitri B. Strukov等人在HP实验室完成。忆阻器因其独特的I-V特性（电流-电压特性），即它能够记忆过去通过它的电流历史，使其在电子电路设计中有广泛应用，如自适应系统、神经网络和能量存储等方面。 作者Zhiyuan Li和Qingkun Li来自黑龙江大学电子工程学院，以及电子科学与技术的博士后工作站，他们合作开发了一个SPICE模型来准确模拟这种新型器件的行为。SPICE（Simulation Program with Integrated Circuit Emphasis）是一种广泛使用的电路模拟工具，用于设计和验证电子设备的性能。 在文中，他们详细介绍了构建的SPICE模型，包括如何处理窗口函数因子p（这可能涉及到记忆窗口的宽度或精度控制）、输入信号频率的影响，以及忆阻器尺寸参数对性能的影响。这些参数的调整对于理解和优化忆阻器的实际应用至关重要。 作者通过模拟结果展示了所提出的模型的有效性，即该模型能够准确地预测双扩展忆阻器在不同条件下的行为。最后，他们还强调了实验测量数据，这进一步验证了他们的SPICE模型的准确性。 关键词：忆阻器、器件、SPICE模型、建模。这篇文章不仅提供了一种实用的设计工具，而且对于理解忆阻器的原理和优化其在实际电路设计中的性能具有重要的参考价值。随着忆阻器技术的发展，这个模型将在未来的电路设计和仿真中发挥关键作用，推动电子学领域的创新。