英飞凌BSS84PW芯片中文规格书关键参数解读
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更新于2024-08-03
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"BSS84PW INFINEON 英飞凌芯片 中文版规格书手册"
这篇文章主要介绍了英飞凌公司生产的BSS84PW芯片,这是一款P沟道增强型小信号MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)。以下是该芯片的主要特点和技术参数:
1. 特点:
- P-Channel:表示它是P沟道类型的MOSFET,适合在栅极电压高于源极电压时开启。
- Enhancement mode:意味着它在栅极电压低于阈值电压时关闭,高于阈值电压时导通。
- Avalanche-rated:表明这款芯片具有雪崩耐受能力,能够在过载条件下保持稳定。
- Logic Level:设计适用于逻辑电平驱动,可以直接与逻辑电路接口。
- dv/dt rated:能承受快速的电压变化率,适用于高速开关应用。
2. 产品概述:
- Drainsource voltage (VDS):最大漏源电压为-60V,表示芯片可以承受的最大电压差。
- Drain-source on-state resistance (RDS(on)):导通状态下的漏源电阻为8毫欧,这是衡量MOSFET导通时内部电阻的指标,低值意味着更低的导通损耗。
- Continuous drain current (ID):连续漏电流最大为-0.15A,表示芯片正常工作时的最大电流。
- Package:封装类型为PG-SOT-323H6,是一种小型表面贴装封装。
- Marking:标记代码为YBs,用于产品识别。
3. 最大额定值(25°C):
- Continuous drain current (ID):25°C时,连续漏电流最大为-0.15A。
- Pulsed drain current (IDpuls):脉冲漏电流最大为-0.6A。
- Avalanche energy:单脉冲雪崩能量(EAS)为2.61mJ,周期性雪崩能量(EAR)限制在0.03mJ。
- Reversed diode dv/dt:反向二极管的电压变化率为6kV/μs。
- Gatesource voltage (VGS):栅源电压最大为±20V。
- Power dissipation (Ptot):最大功率损耗为0.3W。
- Operating and storage temperature (Tj, Tstg):工作和存储温度范围为-55°C到+150°C。
4. 其他信息:
- IEC气候类别:55/150/56,符合特定的环境条件标准。
- AECQ101认证:符合汽车电子委员会的可靠性标准。
- Halogen-free:符合IEC61249-2-21的无卤素要求,对环保友好。
- ESD Class:JESD22-A114-HBM Class 0,表示其静电放电防护等级。
BSS84PW是一款高性能的小信号P沟道MOSFET,适用于需要高速开关、低功耗和高可靠性的电子设计中。它的特性使其在汽车电子、电源管理、逻辑控制和其他需要低内阻和良好雪崩耐受能力的应用中表现出色。
2023-06-07 上传
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