英飞凌BSS84PW芯片中文规格书关键参数解读

"BSS84PW INFINEON 英飞凌芯片 中文版规格书手册" 这篇文章主要介绍了英飞凌公司生产的BSS84PW芯片，这是一款P沟道增强型小信号MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。以下是该芯片的主要特点和技术参数： 1. 特点： - P-Channel：表示它是P沟道类型的MOSFET，适合在栅极电压高于源极电压时开启。 - Enhancement mode：意味着它在栅极电压低于阈值电压时关闭，高于阈值电压时导通。 - Avalanche-rated：表明这款芯片具有雪崩耐受能力，能够在过载条件下保持稳定。 - Logic Level：设计适用于逻辑电平驱动，可以直接与逻辑电路接口。 - dv/dt rated：能承受快速的电压变化率，适用于高速开关应用。 2. 产品概述： - Drainsource voltage (VDS)：最大漏源电压为-60V，表示芯片可以承受的最大电压差。 - Drain-source on-state resistance (RDS(on))：导通状态下的漏源电阻为8毫欧，这是衡量MOSFET导通时内部电阻的指标，低值意味着更低的导通损耗。 - Continuous drain current (ID)：连续漏电流最大为-0.15A，表示芯片正常工作时的最大电流。 - Package：封装类型为PG-SOT-323H6，是一种小型表面贴装封装。 - Marking：标记代码为YBs，用于产品识别。 3. 最大额定值（25°C）： - Continuous drain current (ID)：25°C时，连续漏电流最大为-0.15A。 - Pulsed drain current (IDpuls)：脉冲漏电流最大为-0.6A。 - Avalanche energy：单脉冲雪崩能量（EAS）为2.61mJ，周期性雪崩能量（EAR）限制在0.03mJ。 - Reversed diode dv/dt：反向二极管的电压变化率为6kV/μs。 - Gatesource voltage (VGS)：栅源电压最大为±20V。 - Power dissipation (Ptot)：最大功率损耗为0.3W。 - Operating and storage temperature (Tj, Tstg)：工作和存储温度范围为-55°C到+150°C。 4. 其他信息： - IEC气候类别：55/150/56，符合特定的环境条件标准。 - AECQ101认证：符合汽车电子委员会的可靠性标准。 - Halogen-free：符合IEC61249-2-21的无卤素要求，对环保友好。 - ESD Class：JESD22-A114-HBM Class 0，表示其静电放电防护等级。 BSS84PW是一款高性能的小信号P沟道MOSFET，适用于需要高速开关、低功耗和高可靠性的电子设计中。它的特性使其在汽车电子、电源管理、逻辑控制和其他需要低内阻和良好雪崩耐受能力的应用中表现出色。