AOD484-VB MOSFET技术解析与应用指南

"AOD484-VB-MOSFET是一款N沟道的功率MOSFET，适用于OR-ing、服务器及DC/DC转换等应用。该器件具有TrenchFET技术，通过了100%Rg和UIS测试，并符合RoHS指令2011/65/EU。主要参数包括：30V的漏源电压（VDS），在10V栅极电压下的RDS(on)为7mΩ，4.5V栅极电压下的RDS(on)为9mΩ，以及1.8V的阈值电压。封装形式为TO252。" "AOD484 MOSFET的主要特点和规格如下： 1. TrenchFET结构：这是一种先进的制造技术，使得MOSFET拥有更低的导通电阻和更好的热性能，从而在高电流应用中实现更高效能。 2. 100%Rg和UIS测试：确保了器件的可靠性和安全性，Rg测试验证了栅极电阻的均匀性，UIS测试则验证了器件在过电压情况下的抗冲击能力。 3. RoHS合规：符合欧盟的环保规定，不含六种有害物质，有利于环保。 在应用方面，AOD484 MOSFET适用于以下场景： - OR-ing：用于并联电源路径管理，确保系统即使在单一电源故障时仍能正常运行。 - 服务器：在服务器电源系统中，MOSFET用于开关和保护功能，确保电源的稳定供应。 - DC/DC转换：在直流到直流的电源转换中，MOSFET作为开关元件，提高电源转换效率。 参数表显示了AOD484 MOSFET的关键性能指标： - 漏源电压VDS的最大值为30V，这意味着器件可以承受30V的电压差。 - 在不同栅极电压下，RDS(on)分别为7mΩ和9mΩ，这决定了器件在导通状态下的电阻，较低的RDS(on)意味着更低的功耗。 - 连续漏极电流ID在25°C和70°C环境下有所不同，表明器件在不同温度下的工作能力。 - 器件的最大功率损耗PD在不同温度下也有变化，高温下需限制功率以防止过热。 - 额定的结温范围为-55至175°C，保证了器件在广泛的工作环境中的稳定性。 AOD484 MOSFET是一款高性能的N沟道MOSFET，适用于需要低导通电阻和高电流处理能力的电力电子应用。其优良的电气特性和可靠性测试确保了在实际使用中的稳定表现。"