"AOD484-VB-MOSFET是一款N沟道的功率MOSFET,适用于OR-ing、服务器及DC/DC转换等应用。该器件具有TrenchFET技术,通过了100%Rg和UIS测试,并符合RoHS指令2011/65/EU。主要参数包括:30V的漏源电压(VDS),在10V栅极电压下的RDS(on)为7mΩ,4.5V栅极电压下的RDS(on)为9mΩ,以及1.8V的阈值电压。封装形式为TO252。"
"AOD484 MOSFET的主要特点和规格如下:
1. TrenchFET结构:这是一种先进的制造技术,使得MOSFET拥有更低的导通电阻和更好的热性能,从而在高电流应用中实现更高效能。
2. 100%Rg和UIS测试:确保了器件的可靠性和安全性,Rg测试验证了栅极电阻的均匀性,UIS测试则验证了器件在过电压情况下的抗冲击能力。
3. RoHS合规:符合欧盟的环保规定,不含六种有害物质,有利于环保。
在应用方面,AOD484 MOSFET适用于以下场景:
- OR-ing:用于并联电源路径管理,确保系统即使在单一电源故障时仍能正常运行。
- 服务器:在服务器电源系统中,MOSFET用于开关和保护功能,确保电源的稳定供应。
- DC/DC转换:在直流到直流的电源转换中,MOSFET作为开关元件,提高电源转换效率。
参数表显示了AOD484 MOSFET的关键性能指标:
- 漏源电压VDS的最大值为30V,这意味着器件可以承受30V的电压差。
- 在不同栅极电压下,RDS(on)分别为7mΩ和9mΩ,这决定了器件在导通状态下的电阻,较低的RDS(on)意味着更低的功耗。
- 连续漏极电流ID在25°C和70°C环境下有所不同,表明器件在不同温度下的工作能力。
- 器件的最大功率损耗PD在不同温度下也有变化,高温下需限制功率以防止过热。
- 额定的结温范围为-55至175°C,保证了器件在广泛的工作环境中的稳定性。
AOD484 MOSFET是一款高性能的N沟道MOSFET,适用于需要低导通电阻和高电流处理能力的电力电子应用。其优良的电气特性和可靠性测试确保了在实际使用中的稳定表现。"