英飞凌BSS87 SIPMOS芯片中文规格手册：特性与参数概述

英飞凌BSS87是一款小型信号晶体管，属于SIPMOS（Single-Ended Power MOSFET）系列，专为逻辑级应用设计。这款器件的主要特性包括： 1. **电压参数**： - VDS (漏极-源极电压): 可承受高达240V的电压，确保在正常工作条件下提供稳定的电流控制。 - VGS (栅极-源极电压): 范围为±20V，允许广泛的电压输入范围，适合于逻辑门驱动。 2. **电流能力**： - 连续漏极电流 (ID): 在TA=25°C时，最大值为0.26A；当温度升高至70°C时，可能会略有下降，为0.21A。 - 短脉冲漏极电流 (IDpuls): 在25°C下，可以承受高达1.04A的峰值脉冲电流，适合于高频开关应用。 3. **电荷注入耐受性**： - Reversed di/dt (反向电流上升率): 当IS为0.26A、VDS为192V时，能承受200A/μs的陡度，且在Tjmax=150°C下仍保持稳定。 4. **静电放电防护**： - ESD (Electrostatic Discharge) 类别符合JESD22-A114-HBM标准，能够承受1A以上的电压冲击，但限制在250V到500V之间。 5. **功率消耗与散热**： - 功耗（在最小封装面积下）: 在25°C下，最大功耗Ptot为1W。热阻数据表明了器件内部的热量传递性能。 6. **环境条件**： - 工作温度范围：-55°C至+150°C，存储温度可达+150°C。 - 符合IEC气候类别55/150/56，以及AECQ101认证，确保在恶劣环境下的可靠性和耐用性。 - 无卤素符合IEC61249-2-21标准，表明产品环保无害。 7. **封装**： - 封装类型为P-SOT89-4-2，这是一种紧凑型封装，适合于空间有限的应用场景。 8. **批量生产信息**： - 单卷带包装数量：H6327每卷包含1000个器件。 9. **Tape and Reel Information**: - 提供带状或卷轴包装，便于自动化生产线上的大批量应用。 英飞凌BSS87是一款高性能的N沟道增强模式MOSFET，适用于各种需要高电压、高电流控制和低功耗的逻辑电路，其优良的热性能和ESD防护特性使得它在现代电子设备中广泛应用。