MDS1754URH-VB：SOP8封装40V N-Channel MOSFET技术规格

MDS1754URH-VB是一款由VBsemi生产的SOP8封装的N-Channel场效应MOS管，具有低电阻、高效率的特点，适用于同步整流和电源管理等领域。 MDS1754URH-VB是一款40V N-Channel沟道的金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET），采用先进的TrenchFET技术，以减小导通电阻并提高能效。这款MOSFET的主要特点包括： 1. **无卤素设计**：根据IEC61249-2-21标准，该器件不含卤素，符合环保要求。 2. **100% Rg测试**：确保栅极电阻的可靠性和一致性，提高设备的稳定性和性能。 3. **100% UIS测试**：通过了雪崩击穿电流的测试，增强了其耐受过电压的能力。 4. **RoHS合规**：符合欧盟的RoHS指令2002/95/EC，确保产品不含有害物质。 在应用方面，MDS1754URH-VB适用于： 1. **同步整流**：在开关电源中提高转换效率，减少损耗。 2. **POL和IBC的次级侧应用**：在电源系统中提供低损耗的电压调节。 产品参数总结： - **导通电阻(RDS(on))**：在VGS=10V和20V时，RDS(on)分别为14毫欧，意味着在导通状态下，流经MOSFET的电流时，其压降非常小，从而降低功率损失。 - **最大漏源电压(VDS)**：40V，保证了器件在高电压环境下的工作安全。 - **连续漏极电流(ID)**：在不同温度下，ID有不同的限制，如在25°C时最大连续电流为10A，在70°C时为5A。 - **栅极-源极电压(VGS)**：±20V，定义了栅极驱动电压的范围。 - **脉冲漏极电流**：峰值脉冲电流可达50A，适合处理短暂的大电流需求。 - **雪崩电流**：15A，表示器件在雪崩条件下可承受的最大电流，同时其对应的能量EAS为11mJ。 - **连续源漏二极管电流(IS)**：最大5A，表明MOSFET的体二极管可以作为稳压二极管使用，但应限制在5A以内。 - **最大功耗(PD)**：在不同温度下有所不同，如在25°C时最大为6W，在70°C时为2.5W。 - **操作和存储温度范围**：-40°C到150°C，保证了器件在广泛温度范围内的正常工作。 MDS1754URH-VB的封装为SOP8，易于表面贴装，且在1"x1"FR4板上进行测试。此外，还提供了关于热特性的重要数据，如结温(TJ)、散热系数等，这些信息对于正确评估MOSFET在实际应用中的散热性能至关重要。MDS1754URH-VB是一款高性能、环保的N-Channel MOSFET，适用于对效率和尺寸有严格要求的电源管理系统。