MDS5751URH-VB：SOP8封装双N沟道60V MOSFET

"MDS5751URH-VB是一款由VBsemi生产的SOP8封装的双通道N-Channel场效应MOSFET，适用于60V工作电压，每个通道可承受连续7A（在25°C时）或4A（在125°C时）的电流。该器件具有低的导通电阻，RDS(ON)分别为27mΩ（VGS=10V）和更低的值（VGS=4.5V）。此外，它还具备1.5V的阈值电压（Vth），并经过100%的Rg和UIS测试，确保了产品的质量和可靠性。这款MOSFET采用TrenchFET技术，提供了更好的热性能和开关特性。" MDS5751URH-VB是VBsemi公司的产品，是一款双通道N沟道金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET），其封装形式为小外形封装（SOP8）。这个器件的主要特点在于它的TrenchFET结构，这是一种先进的制造工艺，通过在硅片上蚀刻出深沟槽，可以减小器件的尺寸，降低导通电阻，从而提高效率和功率密度。 此MOSFET的每个通道可以承受60V的源漏电压（VDS），并且在10V的栅极源电压（VGS）下，每通道的导通电阻（RDS(ON)）仅为27毫欧姆，这意味着在导通状态下的内阻非常低，适合用于需要高效能、低损耗的应用。同时，器件在4.5V的VGS下也有较低的RDS(ON)，这在低电压驱动应用中尤其有用。阈值电压Vth为1.5V，这个参数对于控制MOSFET的开启和关闭至关重要。 在持续电流能力方面，每个通道在25°C环境下可以处理连续7A的电流（ID），而在高温的125°C环境下，这一数值降为4A（ID）。另外，该器件还支持脉冲电流负载，最大脉冲电流IDM达到28A，确保了在瞬时高功率需求时的稳定性。 在安全性方面，MDS5751URH-VB经过了100%的Rg和UIS测试，Rg测试验证了栅极电阻的完整性和可靠性，而UIS测试则确保了器件在过电压条件下的安全性。在热性能方面，结到环境的热阻（RthJA）为11°C/W，意味着在没有额外散热措施的情况下，每增加1W的功率，结温将升高11°C，设计时应考虑适当的散热方案以保持器件的稳定运行。 MDS5751URH-VB适用于需要高效能、低功耗转换、电源管理以及需要双通道独立控制的电路设计，例如在DC-DC转换器、马达驱动、负载开关以及其他电子设备的电源路径管理中。