4948-VB: 双P-通道MOSFET，-60V耐压，-5.3A ID & 低导通电阻特性详解

4948-VB是一款由VBSEMI公司生产的双极型P-Channel沟道MOSFET，采用SOP8封装，特别适合于低电压应用环境。该晶体管具有以下关键特性： 1. **结构与环保设计**： - 采用TrenchFET®技术，这是一种深沟槽场效应晶体管结构，旨在提供更低的通态电阻和更高的效率。 - 产品是无卤素的，符合环保标准。 2. **电气参数**： - 阀值电压（VDS）范围为-60V，确保了器件在负载开关等应用中的高耐压能力。 - RDS(ON)在10V和20V的栅源电压（VGS）下分别为58mΩ和未知，这表明随着栅源电压的增加，导通阻抗会下降。 - 集电极-源极电流（ID）在不同温度下有上限：在室温（25°C）下，连续电流最大可达5.3A，而在70°C时有所下降。 - 静态漏电流（Qg）典型值在10秒（t=10s）内为17nC，这对于减少电源损耗和电路稳定性至关重要。 - 溢出电流（avalanche current, I_Avalanche）和单脉冲雪崩能量（AS）有助于保护器件免受过电压的影响。 3. **热性能**： - 最大功率耗散（PD）在25°C时为4.0W，在70°C时降低至2.5W，确保在工作过程中保持合理的散热管理。 - 操作和存储温度范围为-55°C至150°C，满足不同环境下的应用需求。 4. **安全限制**： - 参数如连续电流、脉冲电流等都有温度依赖性，需注意在指定温度条件下的最大值。 - 在热时间常数（t）小于某个值时，提供了最大结温（TJ）到环境温度（Ambient）之间的热阻率信息。 5. **封装与应用**： - SOP8封装便于表面安装在1"x1"FR4基板上，适合小型化设计。 4948-VB是一款高性能的双极型P-Channel MOSFET，适用于各种需要高效率和小型化的低电压开关或负载控制应用，如电子负载、电源转换器和电机驱动器等。在使用时，务必注意其温度限制和工作条件，以确保设备的可靠性和寿命。