Hynix DDR3 SDRAM规格书

"这份文档是关于Hynix Semiconductor生产的2Gb DDR3 SDRAM的规格书，包括H5TQ2G43BFR-xxC、H5TQ2G83BFR-xxC和H5TQ2G63BFR-xxC型号的详细信息。该内存芯片符合RoHS标准，无铅且无卤素，适用于需要高内存密度和带宽的主要内存应用。" 在DDR3 SDRAM技术中，H5TQ2G63BFR是一款2,147,483,648位的CMOS双倍速率三代（DDR3）同步动态随机存取存储器。这种内存设计旨在满足对大容量内存和高速数据传输需求的应用，如服务器、高性能计算和图形处理等领域。其主要特性包括： 1. **同步操作**：Hynix的2Gb DDR3 SDRAM在时钟的上升沿和下降沿都保持同步，确保数据传输的精确性。 2. **双倍数据速率**：DDR3内存能在时钟的上升沿和下降沿同时处理数据，显著提高了数据传输速率，相比DDR2提供了更高的带宽。 3. **地址和控制信号**：所有地址和控制输入在时钟的上升沿被捕捉（对于CK信号，下降沿），这使得数据传输更加高效。 4. **内部流水线和8位预取**：内部的数据路径通过流水线技术和8位预取设计，进一步提升了数据传输的速度和效率。 5. **环保设计**：产品符合RoHS标准，即无铅且无卤素，符合当前对环保电子产品的严格要求。 订购信息中，这些内存芯片具备以下特点： - **高内存密度**：每颗芯片提供2GB的内存容量，可以实现大规模的内存配置。 - **多种型号选择**：包括H5TQ2G43BFR-xxC、H5TQ2G83BFR-xxC和H5TQ2G63BFR-xxC，不同型号可能有不同的速度等级和工作电压，以适应不同的系统需求。 - **版本更新**：文档版本为Rev.0.2，2010年2月发布，表明Hynix可能会根据技术进步持续优化产品规格。 这些内存芯片的使用不仅提高了系统的数据处理能力，而且其环保设计也符合现代电子产品对可持续性的追求。在系统设计时，选择合适的H5TQ2G63BFR内存芯片可以优化整体性能，同时确保与当前的环保法规相一致。