FQT3P20TF-VB: 200V P沟道SOT223封装高性能MOS管
42 浏览量
更新于2024-08-03
收藏 550KB PDF 举报
本文档介绍了一款名为FQT3P20TF-VB的P沟道SOT223封装MOSFET,它具备一系列重要的特性和规格,适合在特定的应用场景中使用。
首先,这款MOSFET是无卤素的,符合IEC61249-2-21标准,表明其在环保性能上达到了行业要求,减少了对环境的影响。作为一款沟槽型功率MOSFET,它的设计旨在提供极低的开关电阻(On-Resistance),这使得它在电力转换效率上有优秀的表现,特别适合在直流-直流电源供应器的主动钳位电路中应用。
在静态工作条件下,FQT3P20TF-VB的参数包括:
- 钳位电压(Drain-Source Voltage, VDS):最高可达-200V,确保了在高压环境下的可靠工作。
- 漏极-源极电压范围(Gate-Source Voltage, VGS):支持±20V的连续操作,具有宽广的工作电压适应性。
- 在25°C下,持续漏极电流(ID)在静态条件下可以达到-2.0A(-1.68A)和-1.8A(-1.56A);而在70°C时相应降低。
- 脉冲漏极电流(Pulsed Drain Current, IDM)在短脉冲宽度内,最大值为-5.8A。
- 当L=1.0mH时,单脉冲雪崩电流(Single Pulse Avalanche Current, IAS)为4.0A,这表示其承受瞬态过载的能力较强。
- 单脉冲雪崩能量(Single Pulse Avalanche Energy, EAS)为1.2mJ,确保了设备在高能脉冲下的安全运行。
此外,该MOSFET的热管理性能出色,其最大功率损耗(PD)在室温下可达1.45W(0.95W)和70°C时为0.8W(0.48W)。温度范围广泛,可以从-55°C至150°C,包括操作和储存温度。
在散热性能方面,给出的典型和最大热阻值分别为:
- 最大结温至环境热阻(Max Junction-to-Ambient, RthJA):在5秒脉冲内典型值为75°C/W,最大值为100°C/W,而稳态情况下则分别为120°C/W和166°C/W。
- 结温至漏极热阻(Max Junction-to-Foot, RthJF)在稳态时,典型值为40°C/W,最大值为50°C/W。
FQT3P20TF-VB是一款高性能、小型化、环保的P沟道MOSFET,适用于对低导通电阻、高耐压和良好散热性能有需求的电子系统,如DC/DC转换器中的电源管理应用。在使用时,应考虑脉冲宽度限制以及设备的温度条件,确保在安全范围内操作。
2023-11-16 上传
2024-09-29 上传
点击了解资源详情
2023-10-27 上传
2021-03-24 上传
2022-09-23 上传
2021-02-17 上传
2019-09-23 上传
点击了解资源详情
VBsemi_微碧半导体
- 粉丝: 8840
- 资源: 2724
最新资源
- 单片机串口通信仿真与代码实现详解
- LVGL GUI-Guider工具:设计并仿真LVGL界面
- Unity3D魔幻风格游戏UI界面与按钮图标素材详解
- MFC VC++实现串口温度数据显示源代码分析
- JEE培训项目:jee-todolist深度解析
- 74LS138译码器在单片机应用中的实现方法
- Android平台的动物象棋游戏应用开发
- C++系统测试项目:毕业设计与课程实践指南
- WZYAVPlayer:一个适用于iOS的视频播放控件
- ASP实现校园学生信息在线管理系统设计与实践
- 使用node-webkit和AngularJS打造跨平台桌面应用
- C#实现递归绘制圆形的探索
- C++语言项目开发:烟花效果动画实现
- 高效子网掩码计算器:网络工具中的必备应用
- 用Django构建个人博客网站的学习之旅
- SpringBoot微服务搭建与Spring Cloud实践