FQT3P20TF-VB: 200V P沟道SOT223封装高性能MOS管

本文档介绍了一款名为FQT3P20TF-VB的P沟道SOT223封装MOSFET，它具备一系列重要的特性和规格，适合在特定的应用场景中使用。 首先，这款MOSFET是无卤素的，符合IEC61249-2-21标准，表明其在环保性能上达到了行业要求，减少了对环境的影响。作为一款沟槽型功率MOSFET，它的设计旨在提供极低的开关电阻（On-Resistance），这使得它在电力转换效率上有优秀的表现，特别适合在直流-直流电源供应器的主动钳位电路中应用。 在静态工作条件下，FQT3P20TF-VB的参数包括： - 钳位电压（Drain-Source Voltage, VDS）：最高可达-200V，确保了在高压环境下的可靠工作。 - 漏极-源极电压范围（Gate-Source Voltage, VGS）：支持±20V的连续操作，具有宽广的工作电压适应性。 - 在25°C下，持续漏极电流（ID）在静态条件下可以达到-2.0A（-1.68A）和-1.8A（-1.56A）；而在70°C时相应降低。 - 脉冲漏极电流（Pulsed Drain Current, IDM）在短脉冲宽度内，最大值为-5.8A。 - 当L=1.0mH时，单脉冲雪崩电流（Single Pulse Avalanche Current, IAS）为4.0A，这表示其承受瞬态过载的能力较强。 - 单脉冲雪崩能量（Single Pulse Avalanche Energy, EAS）为1.2mJ，确保了设备在高能脉冲下的安全运行。 此外，该MOSFET的热管理性能出色，其最大功率损耗（PD）在室温下可达1.45W（0.95W）和70°C时为0.8W（0.48W）。温度范围广泛，可以从-55°C至150°C，包括操作和储存温度。 在散热性能方面，给出的典型和最大热阻值分别为： - 最大结温至环境热阻（Max Junction-to-Ambient, RthJA）：在5秒脉冲内典型值为75°C/W，最大值为100°C/W，而稳态情况下则分别为120°C/W和166°C/W。 - 结温至漏极热阻（Max Junction-to-Foot, RthJF）在稳态时，典型值为40°C/W，最大值为50°C/W。 FQT3P20TF-VB是一款高性能、小型化、环保的P沟道MOSFET，适用于对低导通电阻、高耐压和良好散热性能有需求的电子系统，如DC/DC转换器中的电源管理应用。在使用时，应考虑脉冲宽度限制以及设备的温度条件，确保在安全范围内操作。