FQT5P10TF-VB SOT223封装P沟道MOSFET:特性与应用解析
93 浏览量
更新于2024-08-03
收藏 253KB PDF 举报
本文档详细介绍了FQT5P10TF-VB型号的P沟道SOT223封装MOSFET,这是一款高性能的TrenchFET® PowerMOSFET器件,特别适用于高电压和大电流的应用场景。其关键特性包括:
1. **电压参数**:
- 集电极-源极电压(VDS): 最大可达-100V,确保了在宽广的电压范围内工作。
- 开态导通电阻(RDS(on)): 在10V下,电阻低至200mΩ,而在4.5V时为240mΩ,显示出出色的开关效率。
2. **电流规格**:
- 持续漏极电流(ID): 在标准条件下,最大为3A,但随着温度变化,如在70°C时降为-2.1A。
- 耐脉冲电流(IDM): 较高的峰值处理能力,为-12A,适合短时间大电流操作。
3. **保护功能**:
- 溢出电流(IAS): 在150°C下,可承受单次脉冲的雪崩电流,安全等级较高。
- 单次脉冲雪崩能量(EAS): 提供了11.25mJ的抗过载能力,保护元器件免受瞬态过电压损害。
4. **热性能**:
- 最大功率损耗:在25°C下,允许的最大功率为6.5W,当温度升高到70°C时,功率限制会相应降低。
- 温度范围:器件的工作和储存温度范围为-55°C至+150°C,强调了其宽泛的环境适应性。
5. **应用场景**:
- 该MOSFET适用于主动钳位中间直流/直流电源供应系统,以及H桥高侧开关,尤其适用于照明应用中的高侧开关控制。
6. **封装形式**:
- SOT223封装,适合表面安装,提供紧凑的尺寸和良好的散热性能。
7. **测试与认证**:
- 100% Rg和UISTested,保证了器件的可靠性。
FQT5P10TF-VB P沟道MOSFET是一款专为工业级、高效率电力转换设计的器件,具有优良的耐压、高电流处理能力和宽温工作范围,是电子设计中值得信赖的选择。在实际应用中,设计师需仔细评估其在具体电路中的电压、电流需求和散热条件,以确保最佳性能和可靠性。
2024-01-03 上传
2023-10-27 上传
点击了解资源详情
2024-09-29 上传
点击了解资源详情
2021-03-24 上传
2024-10-25 上传
2022-09-23 上传
2021-02-17 上传
微碧VBsemi
- 粉丝: 7468
- 资源: 2476
最新资源
- C++ Qt影院票务系统源码发布,代码稳定,高分毕业设计首选
- 纯CSS3实现逼真火焰手提灯动画效果
- Java编程基础课后练习答案解析
- typescript-atomizer: Atom 插件实现 TypeScript 语言与工具支持
- 51单片机项目源码分享:课程设计与毕设实践
- Qt画图程序实战:多文档与单文档示例解析
- 全屏H5圆圈缩放矩阵动画背景特效实现
- C#实现的手机触摸板服务端应用
- 数据结构与算法学习资源压缩包介绍
- stream-notifier: 简化Node.js流错误与成功通知方案
- 网页表格选择导出Excel的jQuery实例教程
- Prj19购物车系统项目压缩包解析
- 数据结构与算法学习实践指南
- Qt5实现A*寻路算法:结合C++和GUI
- terser-brunch:现代JavaScript文件压缩工具
- 掌握Power BI导出明细数据的操作指南