IRLML2502TRPBF-VB：N沟道20V TrenchFET MOSFET应用于DC/DC转换器

"IRLML2502TRPBF-VB是一种N沟道的SOT23封装MOS场效应晶体管，适用于DC/DC转换器和便携式应用的负载开关。这款MOSFET具有无卤素设计，符合IEC61249-2-21标准，且符合RoHS指令。它采用了TrenchFET技术，确保了低电阻和高效能。" IRLML2502TRPBF-VB是一款由Infineon（英飞凌）公司生产的N沟道金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET），采用小型SOT23封装，适用于空间有限且需高效能的电子设备。该器件的主要特点包括： 1. **TrenchFET技术**：这是一种利用沟槽结构的MOSFET设计，能够显著降低导通电阻（RDS(on)），从而在工作时提供更低的功率损耗和更高的效率。 2. **低导通电阻**：在VGS = 4.5V时，RDS(on)仅为0.028Ω，而在VGS = 2.5V和1.8V时，分别达到0.042Ω和0.050Ω，这使得IRLML2502TRPBF-VB在各种电源管理应用中表现出优异的性能。 3. **无卤素设计**：遵循IEC61249-2-21定义，产品不含卤素，满足环保要求，符合RoHS指令2002/95/EC，降低了对环境的影响。 4. **100%栅极电阻测试**：所有产品都经过了栅极电阻测试，保证了产品的质量和一致性。 5. **应用广泛**：主要应用于DC/DC转换器，以及便携式设备的负载开关，如智能手机、平板电脑和笔记本电脑等。 6. **额定参数**：连续漏源电压VDS为20V，栅源电压VGS的极限值为±12V。在不同温度下，持续漏电流ID有不同的限制，如在25°C时为6A，在70°C时则下降到5.1A或4A，取决于测试条件。 7. **脉冲漏电流和最大功率耗散**：瞬态漏电流IDM可达20A，最大功率耗散（PD）在25°C时为2.1W，70°C时则降至1.3W或1.25W。 8. **结温与储存温度范围**：操作和存储的结温范围为-55°C至150°C，确保了在宽温范围内的稳定工作。 这款MOSFET的SOT23封装使其易于表面贴装，并且能够在1"x1"FR4板上实现紧凑的布局。需要注意的是，实际的电流和功率能力可能会受到封装限制，因此在设计时要考虑散热条件，以确保设备的长期可靠性和稳定性。