CMD50N06B-VB：175°C耐温N沟道TO252 MOSFET技术规格

"CMD50N06B-VB是一款N沟道TrenchFET功率MOSFET，采用TO252封装，适用于高温环境，具有低电阻和高耐压特性。该器件的最大栅源电压为±20V，连续漏电流（ID）在25°C时为60A，在175°C时仍可达到50A。其RDS(on)在VGS=10V时为0.010Ω，VGS=4.5V时为0.013Ω。器件的最大脉冲漏电流IDM为100A，单次雪崩能量限制在125mJ，最大功耗在25°C时为136W。此外，它具有良好的热性能，最大结壳热阻RthJC为0.85至1.1°C/W，最大结温范围为-55至175°C。" CMD50N06B-VB是一款由VBsemi公司生产的高性能N沟道MOSFET，其核心技术在于采用了TrenchFET结构。这种结构使得器件能够在保持低电阻的同时，拥有较高的温度耐受性，允许结温达到175°C，这使得它特别适合在高温环境下工作。TO252封装方式使其易于安装在表面贴装的1"x1"FR4板上。 MOSFET的主要参数包括栅源电压（VGS）、连续漏电流（ID）、漏源导通电阻（RDS(on)）。CMD50N06B-VB的VGS额定值为±20V，这意味着栅极与源极之间的电压不能超过这个数值，否则可能损坏器件。其RDS(on)非常低，这在开关应用中很重要，因为它减少了在导通状态下的功率损耗。ID的规格表明该MOSFET在不同温度下能够承载的连续电流，确保了在高温工作条件下仍能保持稳定。 在瞬态热特性方面，器件的最大结壳热阻RthJC决定了从芯片内部到外壳的热量传递效率，较低的RthJC意味着更快的散热速度，有助于防止过热。而最大结温范围则决定了MOSFET在什么温度范围内可以安全工作，-55至175°C的范围使其适应各种环境。 此外，CMD50N06B-VB还具有一定的浪涌电流承受能力，IDM为100A，这使得它能够在短时间内的大电流冲击下保持稳定。单次雪崩能量（EAS）限制在125mJ，保证了器件在雪崩击穿条件下不会损坏，前提是雪崩持续时间不超过1%的周期。 CMD50N06B-VB是一款适合于高功率、高温应用的N沟道MOSFET，其低RDS(on)、高耐压和良好的热管理特性使其在电源管理、电机驱动、开关电源等领域有广泛的应用潜力。用户可以通过VBsemi提供的服务热线400-655-8788获取更多产品信息或技术支持。