SOT23-30V N-Channel MOSFET: High-Performance for DC/DC Converter...

本文档介绍的是CES2320-VB型号的SOT23封装N-Channel场效应MOS管，由VBSEMI公司生产。这款器件采用了先进的Trench FET技术，具有低阻值和高效率的特点，适用于DC/DC转换器等应用。 1. **产品特性**: - **封装类型**: SOT23，这是一种小型化的表面安装封装，占用空间小，适合于高度集成的电路设计。 - **材料环保**: 采用无卤素标准，符合IEC 61249-2-21，满足绿色电子元件的要求。 - **性能指标**: - 集成度高：最大连续漏极电流ID在室温下可达6.5A（在VGS=10V时为0.030Ω），显示出良好的开关速度和功率处理能力。 - 漏源电压（VDS）限制：30V，确保在正常工作条件下安全可靠。 - 阈值电压（Vth）范围：1.2~2.2V，反映了晶体管的开启特性。 - 噪声电荷（Qg）典型值：4.5nC，在不同VGS电压下有不同的表现。 2. **应用领域**: - 主要应用于DC/DC转换器，这些设备在电源管理系统、电池供电设备以及各种电子设备中扮演重要角色。 3. **产品规格**: - 在不同温度下，电流、功率和热性能有所调整，如在70°C时，持续漏极电流稍有降低。 - 瞬态脉冲电流限制（IDM）为25A，以防止过载。 - 高温下的最大功率损耗和散热考虑，例如在70°C下，最大功率为0.7W。 4. **温度范围**: - 运行和储存温度范围为-55°C至150°C，适应各种环境条件。 - 焊接建议温度为260°C，以确保组件的可靠焊接过程。 5. **热阻抗**: - 提供了热阻参数，用于计算芯片与散热器之间的热传递，这对于保证组件在高功率操作下的稳定性至关重要。 CES2320-VB是一款高性能的N-Channel MOSFET，其紧凑的封装、高效的电性能和严格的温度管理使其成为工业级应用的理想选择。在选择或设计电路时，需要根据具体应用需求来考虑其极限条件和热管理策略。