CES2306-VB：SOT23封装N-Channel MOSFET，低RDS(on)20V 6A

"CES2306-VB是一款采用SOT23封装的N-Channel场效应MOS管，适用于DC/DC转换器和便携式应用的负载开关。这款MOS管具有低导通电阻、环保特性以及符合RoHS指令的要求。" 详细说明： CES2306-VB是一款由VB Semi制造的N-Channel沟道MOSFET，其封装形式为小型表面贴装SOT23。这种MOSFET设计独特，采用了TrenchFET技术，这是一种利用沟槽结构来提升性能和降低寄生参数的技术，有助于提高开关效率和减少功耗。 该器件的主要电气特性包括20V的额定漏源电压（VDS）和最大6A的连续漏极电流（ID）。在VGS=4.5V时，RDS(ON)仅为24mΩ，这意味着在低电压下，它能提供非常低的导通电阻，从而在电路中实现高效能的开关操作。此外，阈值电压Vth在0.45V至1V之间，这允许在不同的栅极驱动条件下灵活使用。 在Qg参数方面，它是电荷量，表示从关态切换到开态所需的总电荷，典型值分别为8.8nC（VGS=2.5V）、2.5V和1.8V。这些值表明了MOSFET开关速度的快慢，较小的Qg意味着更快的开关时间，降低了开关过程中的能量损失。 该产品通过了100%的Rg测试，确保了良好的栅极电阻一致性，同时符合RoHS指令2002/95/EC，表明它是无卤素的环保产品。适用于直流电源转换和便携式设备的负载开关，如手机、平板电脑或电池供电的设备。 在绝对最大额定值方面，VDS的最大值为20V，而栅极-源极电压VGS的极限为±12V。在不同温度条件下，连续漏极电流ID有不同的限制。例如，在TJ=150°C时，ID限制为6A，而在TJ=70°C时，ID的限制降低到5.1A。此外，脉冲漏极电流IDM可以达到20A，而连续源漏二极管电流IS为1.75A，这表明MOSFET也能作为一个体二极管使用。 最大功率耗散PD在不同温度下也有所不同，如在TJ=25°C时为2.1W，而在TJ=70°C时则降至1.3W。MOSFET的工作和存储温度范围很宽，从-55°C到150°C，保证了在各种环境条件下的可靠性。 总结来说，CES2306-VB是一款高性能、低损耗的N-Channel MOSFET，特别适合于对体积、效率和开关速度有要求的电源转换和便携式电子设备应用。其紧凑的封装、低导通电阻和良好的电气特性使其成为设计师的理想选择。