英飞凌IPB019N08NF2S强IRFETTM芯片中文规格书

"IPB019N08NF2S是INFINEON公司推出的一款强效绝缘栅场效应晶体管（StrongIRFETTM 2 Power-Transistor），该芯片针对各种应用进行了优化设计。它是一款N沟道、正常级的MOSFET，具有出色的性能参数，如最大集电极电压（VDS）为80V，导通状态下的最大漏极电阻（RDS(on)）仅为1.95毫欧姆（mΩ），允许的最大持续电流（ID）高达166安培（A），以及低的二次击穿电荷（Qoss）和饱和电荷（QG）。这款产品通过了JEDEC标准的验证，体现了高质量和可靠性。 在电气特性方面，表格1列出了关键的性能指标，包括最大允许的开关频率和封装温度限制。此外，该芯片采用D²PAK封装，具有Drain（Pin2）、Gate（Pin1）和Source（Pin3）引脚，适合于紧凑的电路布局。产品型号标记为IPB019N08NF2S，对应的订单代码是PG-TO263-3，而其批号为019N08NS。 产品规格表还包含了热性能和电气特性曲线图，供设计者在不同工作条件下评估器件的行为。封装外形图和尺寸信息在Package Outlines部分提供，以便于安装和电气设计。章节11的Revision History记录了产品的更新历史，确保用户了解最新的技术改进和改动。 英飞凌作为一家注重环保的公司，IPB019N08NF2S符合RoHS规范，使用无铅焊料，并且按照IEC 61249-2-21标准为无卤素。最后，文档的末尾部分包含了商标声明、免责声明等法律信息，确保用户在使用过程中遵循相应的条款和条件。 IPB019N08NF2S是一款高性能、可靠且环保的MOSFET，适用于工业和消费电子等各种应用，为设计师提供了强大的驱动能力和高效能解决方案。"