![](https://csdnimg.cn/release/download_crawler_static/3754503/bg6.jpg)
表 2-2
2-2
2-2
2-2 K9F1G16*OM(*16)
K9F1G16*OM(*16)
K9F1G16*OM(*16)
K9F1G16*OM(*16) 存储阵列结构
注意:
列地址:寄存器开始的地址。
*L 必须被置低。
产品说明
K9F1G***OM 是 1056Mbit 存储容量 ,包括 65536 行,和 211 2 *8(8 位
)
列 或 1056*16(1 6 位
)
列 。 在列地址 的 2048~2111(*8device) 包括空闲 的 64(*8) 列
。
一个 2112 字节数据寄存器和 2112 字节缓冲寄存器互相联系。在读操作,和写
操作时 , 为在 I/O 缓冲区和存储单元之间方便的传输数据 , 这些数据寄存器和命
令寄存器互相联系着 。 存储单元由
32
个互相联系的存储单元组成一个
NAND
结
构,每个存储阵列在不同的页中。一块包括 64 页,由 2 个 NAND 结构组成 , 总
计32个存储阵列,总计 33792NAND 结构。读操作和写操作都是以页为单位
的,而擦除是以块为单元的,存储阵列由 1024 个可擦除的 128K 字节一块组成
的,这意味着以位为单位的擦除操作是被禁止的。
K9F1G08UOM
的
I/O
有 地址复用的功能 。这一功能减少了引脚的数目
。
还允许系统升级 。 命令 、 地址 、 和数据在 CE=0,WE=0 时通过 I/O 口写入 , 数据
在 WE 的上升沿被锁存 。 CLE 和 ALE 是各自为地址和命令复用服务的 , 许多命
令要求一个总线周期 。 复位命令,读状态命令只需要一个总线周期 。其他命令
,
如读 页操作和块擦除命令 , 页编程操作需要两个周期 ( 一个周期建立 , 另一个周
期是执行操作)。
128M 物理空闲区需要 28(*8) 或者 27(*16) 地址,因此需要 4 个周期寻
址,列寻址需要 2 个周期。读页操作和写页操作在命令输入后需要同样的 4 个
地址周期 。 在块擦除操作 , 仅有 2 行地址周期需要 , 通过为命令寄存器写入明确
的命令 , 选择适当的器件操作 , 表 1 定义了明确的命令 。 器件在一块中提供了缓
冲写操作 。 在缓冲写操作模式时 , 当数据被存储时数据寄存器时 , 被写入存储单