K9F1G08U中文数据手册：详解128M NAND Flash Memory特性与规格

K9F1G08U中文数据手册是一份详细介绍了K9F1G08U系列NAND Flash Memory产品的技术文档，该系列包括多种型号，如K9F1G08QOM-Y、K9F1G16QOM-Y、K9F1G08UOM-Y和K9F1G16UOM-Y，分别针对不同的供电需求，如1.65~1.95V和2.7~3.6V。这些NAND Flash Memory设备提供128M*8Bit和64M*16Bit两种存储容量，采用X8封装，常见的有TSOP1和WSOP1封装形式。 手册的核心内容涵盖了产品的关键特性： 1. **供电电压**：根据型号不同，分为1.8V设备（如K9F1G08Q0M）和3.3V设备（如K9F1G08U0M），分别对应不同的工作电压范围。 2. **存储单元阵列**：每个设备包含多个存储单元阵列，其中8设备版本（如K9F1G08*0M）具有128M+4096K Bit*8Bit的容量，而16设备版本（如K9F1G16*0M）则有64M+2048K Bit*8Bit的存储能力。 3. **数据和缓冲寄存器**：每个设备都配备了数据寄存器和缓冲寄存器，用于临时存储数据，具体容量根据设备型号有所不同。 4. **编程和擦除功能**：支持页编程，8设备版本可编程2K+64 Bit*8Bit，16设备版本为1K+32 Bit*8Bit，块擦除则分别为128K+4K Bit*8Bit和64K+2K Bit*8Bit。编程速度较快，页编程典型时间为300微秒，块擦除为2毫秒。 5. **读取性能**：页面读取具有高速特性，8设备版本的页大小为2K字节，16设备版本为1K字节，最大随机读取时间为25微秒，连续存取时间仅为50纳秒。 6. **快速写入循环时间**：页编程具有较快的速度，但块擦除相对耗时，典型值分别为300微秒和2毫秒。 7. **复用端口**：该系列NAND Flash Memory支持命令、地址和数据的复用，提高了效率。 8. **硬件数据保护**：为了确保数据安全，编程和擦除操作在电源转换时会自动关闭，提供了可靠的CMOS浮置保护，防止意外操作导致数据丢失。 这份数据手册是设计工程师、硬件开发人员以及需要使用此类存储解决方案的用户的重要参考资料，提供了详细的规格和操作指南，有助于理解和优化系统设计。