K9F1G08UOM NAND Flash Memory 数据手册详解
4星 · 超过85%的资源 需积分: 9 165 浏览量
更新于2024-07-27
1
收藏 581KB PDF 举报
"K9F1G1G08UOM中文数据手册提供了关于这款128M*8Bit/64M*16Bit NAND Flash Memory的详细规格信息,涵盖了供电电压、组织结构、封装类型、特性以及各种操作的时间等关键参数。"
K9F1G1G08UOM是一款NAND闪存芯片,适用于多种电子设备的数据存储。它有不同的型号,如K9F1G08QOM-Y和K9F1G16UOM-Y,分别对应不同的供电电压和封装形式。1.8V设备(如K9F1G**Q0M)的工作电压范围为1.70~1.95V,而3.3V设备(如K9F1G**U0M)的工作电压为2.7~3.6V。
该芯片的组织结构分为8位(X8)和16位(X16)两种版本。8位版本(如K9F1G08*0M)提供(128M+4096K)Bit的存储容量,而16位版本(如K9F1G16*0M)则有(64M+2048K)Bit的容量。每个版本都有相应的数据寄存器、缓冲寄存器以及自动编程和芯片擦除功能。
在数据寄存器和缓冲寄存器方面,8位版本各有(2K+64)Bit*8Bit的容量,16位版本则分别是(1K+32)Bit*8Bit。页编程和块擦除功能也是针对这两种设备的不同特性进行设计的。对于8位版本,页编程为(2K+64)Bit*8Bit,块擦除为(128K+4K)Bit*8Bit;16位版本的页编程为(1K+32)Bit*8Bit,块擦除为(64K+2K)Bit*8Bit。
在读取性能上,8位版本的页大小为2K一字节,16位版本为1K一字节。随机最大读取时间为25微秒,连续存取时间为50纳秒。快速写循环时间方面,页编程的典型时间为300微秒,块擦除的典型时间为2毫秒。
此外,该芯片具有命令/地址/数据复用端口,硬件数据保护功能,当电源转换时会关闭编程/擦除操作,以确保数据安全。采用可靠的CMOS浮置门技术,保证了100K次的编程/擦除寿命,并且数据可以保持10年。其他特性包括命令寄存器操作、缓冲编程操作、通电自动读操作、智能复制拷贝操作,以及独特的ID保护功能,用于防止盗版。封装形式包括TSOP1和WSOP1,具体型号如K9F1G1G08UOM-Y和K9F1G1G08UOM-V。这些详细信息对于理解和使用这款NAND闪存芯片至关重要。
2011-11-04 上传
2008-04-03 上传
点击了解资源详情
点击了解资源详情
点击了解资源详情
2024-10-25 上传
luerlyhs
- 粉丝: 54
- 资源: 30
最新资源
- ES管理利器:ES Head工具详解
- Layui前端UI框架压缩包:轻量级的Web界面构建利器
- WPF 字体布局问题解决方法与应用案例
- 响应式网页布局教程:CSS实现全平台适配
- Windows平台Elasticsearch 8.10.2版发布
- ICEY开源小程序:定时显示极限值提醒
- MATLAB条形图绘制指南:从入门到进阶技巧全解析
- WPF实现任务管理器进程分组逻辑教程解析
- C#编程实现显卡硬件信息的获取方法
- 前端世界核心-HTML+CSS+JS团队服务网页模板开发
- 精选SQL面试题大汇总
- Nacos Server 1.2.1在Linux系统的安装包介绍
- 易语言MySQL支持库3.0#0版全新升级与使用指南
- 快乐足球响应式网页模板:前端开发全技能秘籍
- OpenEuler4.19内核发布:国产操作系统的里程碑
- Boyue Zheng的LeetCode Python解答集