K9F1G08UOM NAND Flash Memory 数据手册详解

"K9F1G1G08UOM中文数据手册提供了关于这款128M*8Bit/64M*16Bit NAND Flash Memory的详细规格信息，涵盖了供电电压、组织结构、封装类型、特性以及各种操作的时间等关键参数。" K9F1G1G08UOM是一款NAND闪存芯片，适用于多种电子设备的数据存储。它有不同的型号，如K9F1G08QOM-Y和K9F1G16UOM-Y，分别对应不同的供电电压和封装形式。1.8V设备（如K9F1G**Q0M）的工作电压范围为1.70~1.95V，而3.3V设备（如K9F1G**U0M）的工作电压为2.7~3.6V。 该芯片的组织结构分为8位（X8）和16位（X16）两种版本。8位版本（如K9F1G08*0M）提供（128M+4096K）Bit的存储容量，而16位版本（如K9F1G16*0M）则有（64M+2048K）Bit的容量。每个版本都有相应的数据寄存器、缓冲寄存器以及自动编程和芯片擦除功能。 在数据寄存器和缓冲寄存器方面，8位版本各有（2K+64）Bit*8Bit的容量，16位版本则分别是（1K+32）Bit*8Bit。页编程和块擦除功能也是针对这两种设备的不同特性进行设计的。对于8位版本，页编程为（2K+64）Bit*8Bit，块擦除为（128K+4K）Bit*8Bit；16位版本的页编程为（1K+32）Bit*8Bit，块擦除为（64K+2K）Bit*8Bit。 在读取性能上，8位版本的页大小为2K一字节，16位版本为1K一字节。随机最大读取时间为25微秒，连续存取时间为50纳秒。快速写循环时间方面，页编程的典型时间为300微秒，块擦除的典型时间为2毫秒。 此外，该芯片具有命令/地址/数据复用端口，硬件数据保护功能，当电源转换时会关闭编程/擦除操作，以确保数据安全。采用可靠的CMOS浮置门技术，保证了100K次的编程/擦除寿命，并且数据可以保持10年。其他特性包括命令寄存器操作、缓冲编程操作、通电自动读操作、智能复制拷贝操作，以及独特的ID保护功能，用于防止盗版。封装形式包括TSOP1和WSOP1，具体型号如K9F1G1G08UOM-Y和K9F1G1G08UOM-V。这些详细信息对于理解和使用这款NAND闪存芯片至关重要。