K9F1G08UOM NAND Flash Memory Data Manual: Structure, Commands & ...

K9F1G08UOM数据手册详细介绍了该款NAND Flash Memory产品，它提供了128M*8Bit和64M*16Bit两种容量选项，适用于不同应用场景。该存储器的关键特点包括： 1. **供电电压**： - K9F1G08系列支持两种电压范围：1.65~1.95V的1.8V设备（如K9F1G08QOM-Y）和2.7~3.6V的3.3V设备（如K9F1G08UOM-Y）。 2. **结构**： - 存储单元阵列设计分别有8位和16位版本，具体容量为128M+4096K Bit和64M+2048K Bit。 - 数据寄存器和缓冲寄存器的大小也随容量调整，例如8位版本为2K+64Bit，16位版本为1K+32Bit。 3. **编程与擦除**： - 页编程能力根据容量不同，分别为2K或1K字节，8位版本耗时约300微秒，16位版本稍快。 - 块擦除功能针对较大区域，8位版擦除128K+4K Bit，16位版擦除64K+2K Bit，耗时约为2毫秒。 4. **读取性能**： - 页大小为2K字节（8位版本）和1K字节（16位版本），随机读取最大时间为25微秒，连续读取时间非常短，仅为50纳秒。 5. **快速写入**： - 快速写循环时间，页编程速度较快，典型时间为300微秒，块擦除则相对较慢，需2毫秒。 6. **复用端口**： - 提供命令/地址/数据复用端口，提高了效率和灵活性。 7. **硬件保护**： - 具有硬件保护功能，在电源转换期间自动关闭编程和擦除操作，确保数据安全。 8. **封装形式**： - 封装类型包括X8接口的TSOP1和WSOP1。 这款数据手册对于理解和操作K9F1G08UOM闪存存储器至关重要，提供了清晰的规格信息和性能参数，帮助工程师们优化系统设计、实现高效数据管理，并确保了在实际应用中的稳定性和可靠性。通过深入理解这些特性，开发人员可以充分利用这款内存产品的优势，提高整体系统的性能和兼容性。