英飞凌IPT026N10N5 MOSFET芯片中文规格书

"IPT026N10N5 INFINEON 英飞凌芯片 中文版规格书手册" 这份文档是关于英飞凌公司生产的IPT026N10N5 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）的中文规格书，主要介绍了该器件的关键特性和参数。IPT026N10N5是一款适用于高频开关和同步整流的OptiMOSTM 5功率晶体管，其设计旨在提供优异的性能和效率。 1. 特性： - 高频切换和同步整流的理想选择：这款芯片特别适合在高频率下进行开关操作和同步整流电路。 - 极佳的门电荷乘以漏源导通电阻（FOM）产品：低门电荷与低漏源导通电阻的组合，意味着更快的开关速度和更低的功耗。 - 非常低的导通电阻（RDS(on)）：RDS(on)的最大值仅为2.6毫欧，这将导致在导通状态下的电压损失极小，提高系统效率。 - N沟道，正常电平：这是一种N型MOSFET，适用于需要电子开关或放大器的应用。 - 100%雪崩测试：确保了器件在过电流情况下的可靠性。 - 环保：采用无铅电镀，符合RoHS标准，且不含卤素，符合IEC61249-2-21的要求。 2. 参数： - 最大漏源电压（VDS）：100伏。 - 最大漏源导通电阻（RDS(on),max）：2.6毫欧。 - 连续漏电流（ID）：202安培，表明该器件能处理的连续电流水平。 - 总栅极电荷（Qoss）：123纳库仑，衡量开关过程中栅极电荷的变化。 - 从0V到10V的栅极电荷（QG(0V..10V)）：96纳库仑，表示开启和关闭晶体管所需的电荷量。 3. 包装信息： - 器件型号：IPT026N10N5。 - 封装类型：PG-HSOF-8。 - 标签代码：026N10N5。 4. 其他信息： - 该产品已按照JEDEC标准对工业应用进行了全面验证，确保了其在各种环境条件下的稳定性。 - 文档还包括了最大额定值、热特性、电气特性、电气特性图表、封装轮廓以及修订历史等详细内容。 这份规格书对于设计工程师来说至关重要，因为它提供了选择和使用IPT026N10N5 MOSFET所需的所有关键信息，包括安全操作范围、性能预期以及实际应用中的注意事项。