英飞凌IPT015N10N5 MOSFET芯片中文规格书

"IPT015N10N5 INFINEON 英飞凌芯片 中文版规格书手册.pdf" 本文档是关于英飞凌（INFINEON）公司的IPT015N10N5 OptiMOSTM 5 功率晶体管的中文规格书。IPT015N10N5是一款高性能的N沟道金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET），特别适用于高频开关和同步整流应用。这款芯片拥有出色的栅极电荷与开启电阻乘积（FOM），意味着它在高速切换时能保持低损耗。 关键性能参数包括： - 最大 drain-source 电压（VDS）：100V - 最大开启电阻（RDS(on)）：1.5毫欧 - 连续漏电流（ID）：300A - 静态栅极电荷（Qoss）：213纳库仑 - 门极电荷（QG，0V到10V）：169纳库仑 封装信息： - 型号/订购代码：IPT015N10N5 - 封装：PG-HSOF-8 - 标记：015N10N5 该芯片已按照JEDEC标准进行100%雪崩测试，并且符合RoHS（无铅）和IEC61249-2-21（卤素免费）的环保要求。规格书中还包含了最大额定值、热特性、电气特性图表以及封装轮廓等详细信息，为设计者提供了全面的技术参考。 表格内容包括描述、最大额定值、热特性、电气特性以及电气特性图表，这些数据对于评估和设计电路至关重要。此外，规格书的修订历史部分可能记录了产品的改进和更新，商标列表和免责声明则为读者提供了有关知识产权和使用条款的重要信息。 IPT015N10N5英飞凌芯片是一款高性能的100V N沟道MOSFET，适用于需要高效能、低损耗的电力转换系统。其低RDS(on)和优化的栅极电荷使其成为高频应用的理想选择，而其符合RoHS和无卤素的制造标准则满足了环保要求。设计者可以参考规格书中的详细技术参数来确定该芯片是否适合他们的项目需求。