杂散光对光刻工艺影响的监控方法研究

"杂散光对光刻工艺影响的新型监控方法研究与设计" 本文主要研究了杂散光对光刻工艺的影响，并提出了新的监控方法。杂散光是指光学系统中成像光线以外的非成像光线，在投影曝光系统中对光刻解析度和关键尺寸特性有着重要影响。但是，传统的JoeKirk测量杂散光方法存在四大局限性，本文提出了依靠关键尺寸扫描电镜直接测量的杂散光监控方法，从而能够直接反应光刻工艺线宽的变化。 本文的主要贡献在于： 1. 分析了杂散光对光刻工艺的影响，指出了传统JoeKirk测量方法的局限性，并提出了新的监控方法。 2. 介绍了投影曝光系统中的杂散光产生机理和特点，并对其进行了分析。 3. 提出了新的监控方法，依靠关键尺寸扫描电镜直接测量的杂散光监控方法，使得监控结果能够直接反应光刻工艺线宽的变化。 本文的主要结论是： 1. 杂散光对光刻工艺的影响是非常重要的，需要进行精确评估和监控。 2. 传统的JoeKirk测量方法存在局限性，新的监控方法能够更好地解决这个问题。 3. 新的监控方法可以直接反应光刻工艺线宽的变化，对实际工艺过程控制杂散光及改善关键尺寸及其均匀性提供参考。 本文的创新点在于： 1. 提出了新的监控方法，依靠关键尺寸扫描电镜直接测量的杂散光监控方法。 2. 分析了投影曝光系统中的杂散光产生机理和特点，并对其进行了分析。 3. 本文的研究结果可以为实际工艺过程控制杂散光及改善关键尺寸及其均匀性提供参考。 本文的研究意义在于： 1. 杂散光对光刻工艺的影响是非常重要的，本文的研究结果可以为实际工艺过程控制杂散光及改善关键尺寸及其均匀性提供参考。 2. 本文的研究结果可以为光刻工艺的发展提供新的思路和方法。 3. 本文的研究结果可以为光学系统的设计和优化提供新的思路和方法。 本文对杂散光对光刻工艺的影响进行了深入的研究，并提出了新的监控方法，本文的研究结果可以为实际工艺过程控制杂散光及改善关键尺寸及其均匀性提供参考。