RJJ0606JPD-VB：60V P沟道TrenchFET MOSFET技术规格

"RJJ0606JPD-VB是一款P沟道60V的TO252封装MOSFET，适用于负载开关等应用。这款MOSFET采用了TrenchFET技术，具有低电阻和高耐压的特性。在VGS=-10V时，RDS(on)为0.02欧姆，VGS=-4.5V时，RDS(on)为0.025欧姆。绝对最大额定值包括VDS为-60V，VGS为±20V，连续漏电流ID在不同温度下有所不同。此外，它还提供了瞬态和稳态的热阻数据。" 详细说明： RJJ0606JPD-VB是一款由VBsemi公司制造的P沟道金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET），它采用了先进的TrenchFET技术。这种技术通过在硅片上创建深沟槽结构，可以显著减小导通电阻（RDS(on)），从而提高效率和降低功耗。在该器件中，当栅极电压VGS为-10伏时，漏源导通电阻仅为0.02欧姆，而在VGS为-4.5伏时，RDS(on)为0.025欧姆。低的RDS(on)意味着在开关操作时，流经MOSFET的电流造成的电压降会较小，从而能更有效地控制电流并减少功率损失。 这款MOSFET适用于负载开关应用，其额定的漏源电压VDS为-60伏，表明它可以承受高达60伏的反向电压。门极-源极电压VGS的最大值为±20伏，这意味着它可以在这个范围内安全工作。对于连续漏电流ID，器件在不同温度下的能力有所不同：在25°C时，ID为-50安培，在125°C时，ID为-40安培。 考虑到热性能，RJJ0606JPD-VB的瞬态热阻RthJA在10秒内典型值为15°C/瓦，最大值为18°C/瓦，这表明在短时间内，器件从结温到环境温度的散热效率。而稳态热阻RthJC的典型值为0.82°C/瓦，最大值为1.1°C/瓦，这是从结温到封装外壳的热阻，反映了长时间工作时的散热能力。 此外，这款MOSFET也有脉冲漏电流IDM和雪崩电流IAS的额定值，分别为-160安培和-50安培，以及单脉冲雪崩能量EAS的最大值为125毫焦，这些参数确保了器件在短路或过载情况下的安全性。功率耗散PD在25°C时的最大值为113瓦，但当温度升高时，必须进行适当的电压降额，以防止过热。 RJJ0606JPD-VB是一款高性能的P沟道MOSFET，适用于需要高效能、低损耗和良好热管理的电路设计，如电源管理、负载切换或电机驱动等应用。其详细规格和更多使用注意事项可参考VBsemi提供的RJJ0606JPD-VB数据手册。