SI1317DL-T1-GE3-VB: 一款20V P沟道SC70-3封装高性能MOS管

SI1317DL-T1-GE3-VB是一款专用于P沟道应用的高性能MOSFET，采用Trench FET®技术，其特点是无卤素符合IEC 61249-2-21标准，旨在提供低功耗和高效能解决方案。这款MOSFET的特点包括： 1. **特性**： - **安全环保**：通过IEC 61249-2-21定义，强调无卤素材料，符合RoHS指令2002/95/EC。 - **结构设计**：Trench FET结构，提供优秀的开关性能和热稳定性。 - **测试标准**：100% Rg测试，确保了元件的可靠性和一致性。 - **电流规格**：在VGS = -4.5V时，最大集电极源极电流（RDS(on)）为0.080Ω，当VGS = -2.5V时，电流降为0.100A。 - **温度适应性**：在不同工作温度下，如连续集电极电流和最大脉冲电流限制有所不同。 2. **应用领域**： - **负载开关**：由于其高效率和低导通电阻，适用于需要快速切换和控制的场合。 - **直流-直流转换器**：适用于电源管理系统，尤其是在小型化和节能设计中。 3. **产品概述**： - **电压参数**：最大允许的 Drain-Source (VDS) 电压为-20V，而 Gate-Source (VGS) 电压范围为±12V。 - **功率管理**：在25°C时，最大持续集电极耗散功率为0.5W，但在高温下有所降低。 - **温度范围**：操作和储存温度范围为-50℃至150℃，SMT封装适合于小型电路板，如1"x1" FR4板。 4. **包装与连接**： - **封装类型**：采用SOT-323或SC-70封装，方便集成到各种电路设计中。 - **引脚功能**：G表示栅极，S表示源极，D表示漏极。 5. **购买支持**： - 提供VBsemi.com网站作为官方资源，用户可以查询更多详细资料或通过服务热线400-655-8788获取技术支持。 SI1317DL-T1-GE3-VB是针对特定应用需求的高质量P沟道MOSFET，它的特性、规格和应用环境表明了它在现代电子设计中的广泛应用价值。在选择和使用时，设计师应充分考虑其电气性能、散热要求以及温度范围，以确保设备的稳定运行。