SI1317DL-T1-GE3-VB: 一款20V P沟道SC70-3封装高性能MOS管
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更新于2024-08-03
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SI1317DL-T1-GE3-VB是一款专用于P沟道应用的高性能MOSFET,采用Trench FET®技术,其特点是无卤素符合IEC 61249-2-21标准,旨在提供低功耗和高效能解决方案。这款MOSFET的特点包括:
1. **特性**:
- **安全环保**:通过IEC 61249-2-21定义,强调无卤素材料,符合RoHS指令2002/95/EC。
- **结构设计**:Trench FET结构,提供优秀的开关性能和热稳定性。
- **测试标准**:100% Rg测试,确保了元件的可靠性和一致性。
- **电流规格**:在VGS = -4.5V时,最大集电极源极电流(RDS(on))为0.080Ω,当VGS = -2.5V时,电流降为0.100A。
- **温度适应性**:在不同工作温度下,如连续集电极电流和最大脉冲电流限制有所不同。
2. **应用领域**:
- **负载开关**:由于其高效率和低导通电阻,适用于需要快速切换和控制的场合。
- **直流-直流转换器**:适用于电源管理系统,尤其是在小型化和节能设计中。
3. **产品概述**:
- **电压参数**:最大允许的 Drain-Source (VDS) 电压为-20V,而 Gate-Source (VGS) 电压范围为±12V。
- **功率管理**:在25°C时,最大持续集电极耗散功率为0.5W,但在高温下有所降低。
- **温度范围**:操作和储存温度范围为-50℃至150℃,SMT封装适合于小型电路板,如1"x1" FR4板。
4. **包装与连接**:
- **封装类型**:采用SOT-323或SC-70封装,方便集成到各种电路设计中。
- **引脚功能**:G表示栅极,S表示源极,D表示漏极。
5. **购买支持**:
- 提供VBsemi.com网站作为官方资源,用户可以查询更多详细资料或通过服务热线400-655-8788获取技术支持。
SI1317DL-T1-GE3-VB是针对特定应用需求的高质量P沟道MOSFET,它的特性、规格和应用环境表明了它在现代电子设计中的广泛应用价值。在选择和使用时,设计师应充分考虑其电气性能、散热要求以及温度范围,以确保设备的稳定运行。
2024-01-02 上传
2023-12-29 上传
2024-02-27 上传
2023-03-28 上传
2023-09-19 上传
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2023-07-14 上传
2024-09-02 上传
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